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田震

作品数:10 被引量:25H指数:4
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
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宋淑芳
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 HGCDTE 液相外延 P- 碲镉汞红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周立庆
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 分子束外延 液相外延 红外探测器 碲锌镉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭振
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 长波 面阵 红外探测器 INSB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王丛
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:分子束外延 碲镉汞 MBE CDTE 复合衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏伟
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:锑化铟 INSB 直径 红外探测器 应力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高达
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:分子束外延 碲镉汞 SI基 HGCDTE 复合衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许秀娟
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 分子束外延 光致发光 碲镉汞薄膜 损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡尚正
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 液相外延 P- 碲镉汞薄膜 液相外延技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴卿
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 红外探测器 碲锌镉晶体 晶体生长 碲锌镉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王鑫
供职机构:华北光电技术研究所
研究主题:碲镉汞 红外探测器 汞 电学性能 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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