谭振
- 作品数：16 被引量：34H指数：4
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
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- 长波640×512元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器的研制被引量：3
- 2010年
- 量子阱红外探测器由于具有更高的材料均匀性和成品率,是红外探测技术研究的重点方向之一。本文通过突破材料外延、器件制备工艺、读出电路设计以及倒装互连等关键工艺技术,研制了长波640×512元GaAs/A lGaAs量子阱红外焦平面探测器。77 K下,器件的平均黑体响应率Rv为1.4×107V/W,峰值探测率Dλ*为6.2×109cm Hz1/2W-1,器件的盲元率达到了0.87%,响应率不均匀性5.8%,并在77 K下对探测器进行成像演示。
- 胡小燕周立庆于艳杜鹏谭振王南孙海燕
- 关键词：焦平面长波
- 原子力显微镜在材料器件工艺中的应用
- 2014年
- 介绍了原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试方面的应用。应用其可以进行磨抛后材料表面的粗糙度测试,接触孔形貌,以及外延后衬底的表面形貌。通过合理的选择扫描参数和探针,可以直观得到样品的表面形貌,接触孔还可以得到孔的尺寸和孔底形貌。尤其在接触孔测试方面,原子力的精度更高,抗干扰能力强且扫描结果更为直观,准确。本文通过对碲镉汞材料器件工艺中不同类型样品测试的介绍,认为原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试中发挥了较大的作用。
- 杨雅茹谭振侯晓敏孙浩
- 关键词：原子力显微镜形貌接触孔
- 长波碲镉汞探测器的原位集成微透镜技术研究被引量：4
- 2019年
- 采取原位集成的方式在红外焦平面探测器芯片的入光侧制备微透镜阵列以达到增强信号以及减小串音的作用,通过光学分析获得了匹配不同中心距器件的微透镜结构设计,在长波碲镉汞320×256,50μm和30μm中心距的探测器上验证了原位集成的微透镜阵列能够有效地通过汇聚光线,使信号增强分别达到28%和61%。对于超高灵敏度红外探测以及SWaP和超大规模红外探测器研究具有重大意义。
- 刘世光牛峻峰张轶张敏王成刚吴卿谭振李春领
- 关键词：碲镉汞长波微透镜
- 分子束外延材料表面平整度的研究被引量：1
- 2021年
- 分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响。分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大。本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面平整度的影响,通过实验发现脱氧工艺的高温影响最大,其次是Si片自身的表面平整度和外延膜层的厚度。因此要获得低表面平整度的Si基复合衬底必须满足以下三个条件:低Si片表面平整度,低脱附工艺温度,低外延膜厚。
- 王丛高达师景霞谭振
- 关键词：SI复合衬底HGCDTE
- 三维集成技术在红外探测器中的应用
- 2022年
- 红外探测器被广泛应用于红外侦查、预警、制导、遥感等领域。近些年来,随着应用需求的不断牵引,红外探测器在保持高空间分辨率、高温度灵敏度的同时,还需兼顾向小型化、集成化的发展。传统的单片式信号处理电路在极限性能、功能集成度方面已难以满足未来红外系统的发展需求,基于三维集成技术的红外探测器逐步成为解决方案之一,本文对微电子器件三维集成技术进行了简要介绍,列举了国外相关研究机构利用三维集成技术研制红外探测器的进展,探讨了三维集成技术在红外探测器研制中面临的挑战。
- 谭振聂媛于艳田震喻松林
- 关键词：红外探测器
- 干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取被引量：1
- 2018年
- 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%～35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。
- 李海燕谭振陈慧卿亢喆
- 关键词：锑化铟感应耦合等离子体刻蚀表面形貌化学计量比
- 大面阵碲镉汞长波红外焦平面器件刻蚀工艺非均匀性研究被引量：5
- 2019年
- 作为探测器组件的性能指标之一,响应率非均匀性对其实际应用具有重要影响,尤其是在低背景空间应用领域。大面阵探测器芯片的接触孔尺寸不均匀是导致器件响应不均匀的因素之一。对1280×1024大面阵长波红外探测器芯片的接触孔刻蚀工艺进行了研究,并提出了优化改进措施。结果表明,本文方法可提高刻蚀工艺的均匀性,进而降低探测器组件响应率的非均匀性。
- 谭振杨海玲孙海燕孙浩周立庆
- 关键词：长波碲镉汞刻蚀非均匀性
- 双层异质结碲镉汞甚长波红外焦平面探测器研究进展被引量：4
- 2020年
- 报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.28μm,有效像元率为94.5%,平均峰值探测率为8.98×10^10 cm·Hz^1/2·W^-1。
- 谭振刘世光田震宋淑芳吴卿周立庆
- 关键词：碲镉汞红外焦平面探测器
- 碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究被引量：2
- 2018年
- 对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法刻蚀工艺极易造成碲镉汞p型接触孔表面反型,提出了一种新型的干法混合刻蚀技术,该技术通过两步干法刻蚀工艺实现,有效地降低了刻蚀引入的表面损伤。
- 宁提陈慧卿谭振张敏刘沛
- 关键词：碲镉汞感应耦合等离子体刻蚀
- 10μm间距红外探测器铟柱制备研究被引量：1
- 2022年
- 小间距红外探测器目前已成为红外探测器技术发展的一个重要方向。用于连接探测器芯片与读出电路芯片的铟柱的制备工艺水平成为影响器件性能的一个重要因素。介绍了一种10μm间距红外探测器铟柱的制备工艺。新工艺采用多次铟柱生长结合离子刻蚀的手段,最终剥离和制备出高度为8μm、非均匀性小于5%的10μm间距红外探测器读出电路铟柱,解决了用传统工艺制备小间距铟柱时高度不够的问题。该工艺的优势是无需进行两芯片端的铟柱制备,简化了工艺流程,为以后更小间距红外探测器铟柱的制备提供了思路。
- 马涛谢珩刘明宁提谭振
- 关键词：铟柱离子刻蚀红外探测器
