孙海燕
- 作品数：7 被引量：22H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 对影响碲锌镉晶片红外透过率因素的研究被引量：6
- 2005年
- 文章主要通过扫描电镜、红外傅立叶光谱仪、红外显微镜、X光回摆曲线和形貌像的分析手段结合磨抛、腐蚀的工艺对影响碲锌镉红外透过率的因素及其程度进行了分析研究。
- 孙海燕邵楠
- 关键词：碲锌镉红外透过率影响因素
- 大面阵碲镉汞长波红外焦平面器件刻蚀工艺非均匀性研究被引量：5
- 2019年
- 作为探测器组件的性能指标之一,响应率非均匀性对其实际应用具有重要影响,尤其是在低背景空间应用领域。大面阵探测器芯片的接触孔尺寸不均匀是导致器件响应不均匀的因素之一。对1280×1024大面阵长波红外探测器芯片的接触孔刻蚀工艺进行了研究,并提出了优化改进措施。结果表明,本文方法可提高刻蚀工艺的均匀性,进而降低探测器组件响应率的非均匀性。
- 谭振杨海玲孙海燕孙浩周立庆
- 关键词：长波碲镉汞刻蚀非均匀性
- 长波光导HgCdTe探测器芯片钝化研究
- 1998年
- 在长波光导碲镉汞器件研制过程中，表面钝化是不可缺少的一个重要环节。在早期，表面钝化只进行阳极氧化处理。通过阳极氧化加ＺｎＳ复合钝化实验，得到了比较可靠的表面钝化层，并制造出了高性能、耐高温环境试验的实用化探测器芯片，文章对表面钝化层进行了分析。
- 盛海云贾宝军孙海燕王官俊
- 关键词：阳极氧化光导探测器
- 长波640×512元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器的研制被引量：3
- 2010年
- 量子阱红外探测器由于具有更高的材料均匀性和成品率,是红外探测技术研究的重点方向之一。本文通过突破材料外延、器件制备工艺、读出电路设计以及倒装互连等关键工艺技术,研制了长波640×512元GaAs/A lGaAs量子阱红外焦平面探测器。77 K下,器件的平均黑体响应率Rv为1.4×107V/W,峰值探测率Dλ*为6.2×109cm Hz1/2W-1,器件的盲元率达到了0.87%,响应率不均匀性5.8%,并在77 K下对探测器进行成像演示。
- 胡小燕周立庆于艳杜鹏谭振王南孙海燕
- 关键词：焦平面长波
- 量子阱红外探测器衬底完全去除技术研究
- 2014年
- 背面减薄技术对于提高量子阱红外焦平面探测器的性能有着重要的意义,通过衬底减薄能够缓解探测器芯片与读出电路的热膨胀失配,提高互连混成芯片可靠性,同时能够有效降低串扰。本文结合机械研磨、化学机械抛光和选择性湿法腐蚀技术,实现了量子阱探测器互连混成芯片的衬底完全去除。
- 孙海燕刘海龙胡小燕谢珩
- 关键词：GAAS量子阱红外探测器
- GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的低电阻欧姆接触工艺研究
- 2020年
- 介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验,确定了适合n+GaAs/AlGaAs的电极体系,并对沉积金属后的热处理条件进行了初步研究。在400℃、氮气氛围、60 s的条件下,采用传输线模型计算后,在n+GaAs(1×10^18 cm^-3)上取得了比接触电阻为3.07×10^-5Ω·cm2的实验结果。
- 谭振李春领孙海燕张敏王成刚
- 关键词：GAAS/ALGAAS量子阱红外探测器欧姆接触
- 中波碲镉汞p-on-n高温工作技术研究被引量：8
- 2020年
- 针对碲镉汞中波p-on-n技术进行研究,采用二次离子质谱仪分析注入后及退火后As离子在碲镉汞材料中的浓度分布,使用透射电镜表征激活退火后离子注入损伤修复状态,通过半导体参数测试仪评价pn结的IV特性,将探测器芯片装在变温杜瓦中测试其不同温度下的焦平面技术指标。研究结果表明,As离子注入后在碲镉汞体内形成大量缺陷,经过富汞退火后缺陷得到修复,同时As离子进一步向内扩散,制备的pn结工作稳定表明As离子得到有效激活,制备的中波p-on-n探测器芯片在120 K温度下有效像元率可以达到99%以上。
- 陈慧卿史春伟胡尚正孙海燕王成刚孙浩
- 关键词：碲镉汞
