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周立庆

作品数:54 被引量:121H指数:7
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
发文基金:国家留学基金国家科技重大专项上海市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 42篇期刊文章
  • 12篇会议论文

领域

  • 52篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 23篇碲镉汞
  • 14篇红外
  • 13篇探测器
  • 12篇液相外延
  • 12篇分子束
  • 12篇分子束外延
  • 10篇碲锌镉
  • 10篇红外探测
  • 10篇红外探测器
  • 10篇衬底
  • 7篇INAS/G...
  • 7篇超晶格
  • 6篇焦平面
  • 5篇液相外延技术
  • 5篇复合衬底
  • 5篇CDTE
  • 5篇INSB
  • 5篇长波
  • 4篇碲锌镉晶体
  • 4篇位错

机构

  • 54篇华北光电技术...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇空军驻华北地...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 54篇周立庆
  • 24篇刘铭
  • 12篇巩锋
  • 12篇王经纬
  • 10篇王丛
  • 8篇折伟林
  • 7篇刘兴新
  • 7篇邢伟荣
  • 7篇吴卿
  • 7篇周朋
  • 5篇胡尚正
  • 5篇尚林涛
  • 5篇常米
  • 5篇吴亮亮
  • 5篇高达
  • 4篇宋淑芳
  • 4篇董瑞清
  • 4篇谭振
  • 3篇王金义
  • 3篇孙浩

传媒

  • 31篇激光与红外
  • 9篇红外
  • 3篇第十一届全国...
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇航天返回与遥...
  • 1篇2002年全...
  • 1篇2003年全...
  • 1篇第二届全国先...
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇全国光电技术...
  • 1篇首届全国先进...

年份

  • 4篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1999
54 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
InAs/GaSbⅡ类超晶格材料技术研究
InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一.相比于碲镉汞探测器,共同点在于相近的吸收系数、截止波段从短波到超长波连续可调,允许光伏...
刘铭邢伟荣郭喜折伟林王宪谋周立庆
分子束外延InAs/GaSb超晶格材料
InAs/GaSb超晶格材料是目前唯一理论上性能超越碲镉汞的红外探测器材料,被公认为制备第三代红外探测器的优选材料.利用分子束外延技术在(100)GaSb衬底上生长了超晶格材料,通过优化去氧化层工艺、缓冲层生长优化,获得...
邢伟荣刘铭吴卿周立庆
关键词:分子束外延
低暗电流高温工作碲镉汞红外探测器制备技术被引量:6
2019年
报道了与传统的n-on-p结构相比具有更低暗电流的p^+-on-n型碲镉汞红外探测器的研究进展。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再分别采用As离子注入技术和富汞垂直液相外延技生长技术实现了P型As外掺杂的p^+-on-n型平面型和双层异质结台面型两种结构的芯片制备。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,期望碲镉汞探测器在不降低性能的前提下具有更高的工作温度(High Operating Temperature,HOT),成为红外探测器技术发展的主要方向。本文对基于标准的n-on-p(Hg空位)掺杂工艺及新研制的p-on-n型As离子注入及异质结制备技术的探测器进行了高温性能测试,测试结果表明采用p-on-n型的碲镉汞探测器能够实现更高的工作温度。
田震肖昕宋淑芳胡尚正周立庆
关键词:碲镉汞
CdTe/Si复合衬底Ex-situ退火研究被引量:8
2012年
复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在。降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底偏向、In-situ退火和Ex-situ退火等,本文主要研究Ex-situ退火对复合衬底CdTe/Si晶体质量的影响。研究表明复合衬底经过Ex-situ退火后位错密度最好值达4.2×105cm-2,双晶半峰宽最好值达60arcsec。
刘铭周立庆巩锋常米王经纬王丛
关键词:MBE晶体质量
长波碲镉汞薄膜外延用碲锌镉衬底筛选方法研究被引量:3
2019年
主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲镉汞薄膜的X射线形貌像和X射线衍射半峰宽进行测试评估,发现目前X射线形貌像和锌组分是影响LPE长波碲镉汞薄膜用碲锌镉衬底的重要参数。结果表明,锌组分处于4.2%~4.8%之间、形貌像衍射强度高且均匀性好是长波碲镉汞薄膜外延用衬底的理想选择。
折伟林周立庆刘铭李乾申晨晋舜国李达师景霞
关键词:碲镉汞碲锌镉位错密度
碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究
2007年
文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。采用碲锌镉缓冲结构生长了碲镉汞液相外延片,其碲锌镉与碲镉汞薄膜界面附近的杂质得到了有效的控制。
周立庆刘兴新巩锋胡尚正
关键词:液相外延
偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究被引量:1
2018年
晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。
王丛高达王经纬强宇周立庆
关键词:碲化镉
512×8像素级数字化长波红外探测器研究被引量:2
2019年
像素级数字化红外探测器具有更高的性能水平和更强的抗干扰能力,是红外探测器技术发展的重要方向之一。通过突破像素级数字化读出电路设计、低峰谷碲镉汞材料外延、器件制备工艺以及倒装互连等关键技术,研制出了一种512×8像素级数字化长波红外探测器组件,并对其性能进行了测试。此探测器的响应波段为7.85~10.17 m,平均峰值响应率为1.4×1011 LSB/W,响应率非均匀性为9.13%,有效像元率为97.5%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为4.4 mK,动态范围为90.6 dB。测试结果表明,该探测器能够满足系统要求。
李忠贺康健王成刚张敏陈彦冠胡尚正周立庆吴卿袁媛
关键词:碲镉汞红外探测器长波红外数字化
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试被引量:7
2004年
采用垂直布里奇曼法(VB)生长出直径为55mm、低位错密度、结构完好的碲锌隔单晶(Cd0.955Zn0.045Te)。通过位错腐蚀坑密度、傅立叶红外透射光谱、X Ray形貌、X射线双晶摇摆曲线对碲锌镉晶体的性能进行了研究。
巩锋周立庆刘兴新董瑞清
关键词:直径形貌单晶摇摆曲线晶体
石墨烯基碲镉汞复合材料技术研究被引量:1
2018年
随着红外技术的发展,未来红外探测器向着mK或亚mK灵敏度红外探测系统方面发展,传统探测器已经很难满足需求,光电探测器的响应度亟待提高。主要基于石墨烯材料的独特能带结构、超高载流子迁移率、超宽光谱吸收的特性,结合碲镉汞光电探测材料的极高量子效率性能,研究了具有极高红外辐射响应度、超宽光谱响应范围的新一代石墨烯基复合红外探测材料。
刘铭杜云章周朋陈慧卿喻松林周立庆游聪雅张永哲
关键词:石墨烯碲镉汞复合材料
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