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大幅宽多谱段高光谱红外探测器研究: 2024年; 报道了基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)技术的大幅宽、多谱段、大像元高光谱红外探测器的最新研究进展。采用MBE技术制备出高质量MCT材料;采用成熟的n-on-p技术路线制备探测芯片,并针对特殊形状的大像元进行了优化;高光谱专用读出电路设计针对短波、窄谱段、小信号等典型特征进行了优化,并针对光谱应用加入行增益可调等功能设计。测试结果表明,组件基本性能良好,有效像元率大于99.5%,平均量子效率优于70%。; 王经纬王晓龙付志凯张智超孟令伟; 关键词：红外探测器碲镉汞分子束外延

分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状被引量：2: 2019年; 目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。; 高达王经纬王丛李震吴亮亮刘铭; 关键词：分子束外延材料性能

Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究被引量：9: 2012年; 报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2;采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器。; 王经纬巩锋刘铭强宇常米周立庆; 关键词：分子束外延 RHEED

不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响分析被引量：3: 2018年; 主要分析了不同溴甲醇(溴体积比为0. 05%)腐蚀时间对CZT(211) B衬底表面粗糙度、总厚度偏差、红外透过率、Zn值以及X射线衍射半峰宽(FWHM)的影响。研究发现即使使用溴体积比0. 05%的溴甲醇溶液腐蚀5 s,衬底表面粗糙度都会由0. 5 nm增加至1. 5 nm以上。随着腐蚀时间的增加CZT(211) B衬底总厚度偏差逐渐增加。使用溴甲醇作为抛光液的两个样品的Zn值明显低于使用氨水作为抛光液的样品,同时该两样品的X射线衍射半峰宽和红外透过率随腐蚀时间的变化趋势一致,但不同于使用氨水作为抛光液的样品,说明不同的抛光液影响CZT(211) B衬底表面Zn值以及表面损伤层等表面状态。; 吴亮亮王经纬高达王丛刘铭周立庆; 关键词：碲锌镉表面粗糙度

Si基中短波双色HgCdTe材料生长及表征: 2017年; 报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展。基于现有Si基中波、短波HgCdTe材料工艺基础,开发获得了Si基中短波双色HgCdTe材料的生长工艺。使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料生长工艺。获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料。; 高达王经纬王丛

分子束外延用碲锌镉(211)B衬底湿化学预处理技术研究被引量：3: 2019年; 主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现化学抛光后未使用溴甲醇腐蚀的CZT(211)B衬底虽然表面粗糙度较小(小于1.0 nm),但表面RHEED衍射图样无任何衍射点或者条纹;采用0.05%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底时,即使腐蚀极短的时间,衬底表面粗糙度也达到2.0 nm以上,且表面存在高密度的柱状物,衬底表面RHEED图样呈圆点状或条纹较粗且存在亮点;采用0.01%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底,表面粗糙度可控制在1.0 nm左右,同时RHEED图样为特征的CZT(211)B晶面短条纹衍射图样,条纹清晰,同时多片衬底重复实验结果一致。同时在其上分子束外延的未优化的中波碲镉汞材料半峰宽为(49.1±5.9)arcsec,组分为0.3083±0.0003,厚度为6.54±0.019μm。; 吴亮亮王丛高达王经纬刘铭周立庆; 关键词：碲锌镉表面粗糙度碲镉汞

不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响: 本文主要分析不同溴甲醇(溴体积比为0.05％)腐蚀时间对CZT(211)B 衬底表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、红外透过率、Zn 值以及X 射线衍射半峰宽(FWHM)的影响.研究发现即使使用溴体积比为0.05％的溴甲醇...; 吴亮亮王经纬高达王丛刘铭周立庆

低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量：6: 2018年; 随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial,MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流稳定性、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题,以及通过正交试验优化生长参数,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500cm^(-2)以内,最优值达到57.83cm-2。; 高达王经纬王丛吴亮亮刘铭; 关键词：分子束外延

Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究被引量：6: 2015年; 报道了在中波工艺基础上,Si基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展,通过温度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波Si基碲镉汞温度控制曲线建立及优化了Si基碲镉汞短波材料的生长温度控制曲线;获得的Si基短波HgCdTe材料表面光亮、均匀,表面缺陷密度小于3000 cm-2;基于此技术成功制备出了Si基短/中波双色材料。; 王经纬高达; 关键词：分子束外延

CdZnTe(211)B衬底对MBE外延碲镉汞材料的影响分析被引量：3: 2015年; 碲锌镉CdZnTe(211)B衬底广泛应用于碲镉汞(HgCdTe)分子束外延生长,其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨论了CdZnTe(211)B衬底几个关键性能参数对碲镉汞外延材料的影响,包括Zn组分及均匀性、缺陷(位错、孪晶及晶界和碲沉淀)以及表面状态(粗糙度和化学组成),并且分析了对CdZnTe(211)B衬底进行筛分时各性能参数的评价方法和指标。; 吴亮亮侯晓敏王丛王经纬刘铭周立庆; 关键词：碲锌镉碲镉汞分子束外延

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王经纬