高达
- 作品数：28 被引量：28H指数：4
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 束流强度分布与膜厚的关系被引量：1
- 2019年
- 为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。实验测试的膜厚的最厚点为8.1582 m,最薄点为5.9362 m,比例为72.76%,与计算结果基本相符。因此,可以确定束流强度分布对膜厚有一定的影响。但实际材料的膜厚不仅受束流分布的影响,还与其他工艺参数相关。由于采用了理论计算与实验相互对比的方法,比单纯实验所得出的结果更准确可靠。
- 李震王文燕强宇王丛高达
- 关键词：MBE
- 分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状被引量：2
- 2019年
- 目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。
- 高达王经纬王丛李震吴亮亮刘铭
- 关键词：分子束外延材料性能
- 短/中波双色碲镉汞红外探测器制备研究被引量：1
- 2021年
- 报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并通过提高材料质量将其表面缺陷密度控制在300 cm-2以内。在此基础上进一步优化了芯片制备工艺,尤其是在减小像元中心距方面作了优化。基于上述多项材料及器件工艺制备出了320×256短/中波双色碲镉汞红外探测器组件。结果表明,该组件的测试性能及成像效果良好。
- 王经纬李忠贺高达邢艳蕾王成刚
- 关键词：碲镉汞红外探测器分子束外延
- 基于分子束外延的4 in硅基碲镉汞材料工艺研究被引量：5
- 2021年
- 现阶段,大面阵碲镉汞红外焦平面探测器的需求持续增加,面向更大尺寸的碲镉汞材料制备技术成为了研究热点。对4 in硅基碲镉汞材料外延技术进行了研究。通过提升设备参数的稳定性、控制外延片的平整度以及优化材料工艺参数等一系列手段,突破了大尺寸硅基碲镉汞材料工艺的关键技术瓶颈,并制备出了高平整度、高均匀性、低缺陷率、高质量的4 in硅基碲镉汞材料。结果表明,该材料的双晶衍射半峰宽小于等于90 arcsec,表面宏观缺陷密度小于等于100 cm^(-2),表面平整度小于等于15μm。
- 高达李震王丛王经纬刘铭宁提
- 关键词：分子束外延碲镉汞
- CdSeTe分子束外延技术研究
- 2023年
- 对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。
- 何温王丛高达邢伟荣柏伟杨海燕折伟林
- 关键词：分子束外延
- 分子束外延In掺杂硅基碲镉汞研究
- 2023年
- 利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统生长了In掺杂硅基碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料。通过控制In源温度获得了不同掺杂水平的高质量MCT外延片。二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)测试结果表明,In掺杂浓度在1×1015~ 2×1016 cm-3之间。表征了不同In掺杂浓度对MCT外延层位错的影响。发现位错腐蚀坑形态以三角形为主(沿<111>方向排列),且位错密度与未掺杂样品基本相当。对不同In掺杂浓度的材料进行汞饱和低温处理后,样品的电学性能均有所改善。结果表明,In掺杂能够提高材料的均匀性,从而获得较高的电子迁移率。
- 王丹李震高达邢伟荣王鑫折伟林
- 关键词：分子束外延碲镉汞
- 中长波双色碲镉汞红外探测器器件模拟与分析
- 2020年
- 利用Crosslight公司的APSYS软件模拟准平面结构中长波双色碲镉汞红外探测器的不同结构的光谱串音。研究表明中波层厚度增加将抑制中波对长波的光谱串音,同时将小幅增大长波对中波的光谱串音;阻挡层组分越大,阻挡层与中波层的导带带阶越大,光生载流子跃迁过带阶势垒的几率减少,使得光谱串音减小;阻挡层厚度越大量子隧穿效应减弱,导致光谱串音减小。通过优化器件结构可使中波对长波的光谱串音以及长波对中波的光谱串音都控制在2.5%以下。
- 吴亮亮高达刘铭王丛王经纬周立庆
- 关键词：碲镉汞
- 基于正交设计的Si基复合衬底优化工艺试验被引量：4
- 2019年
- 在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火温度是影响FWHM的关键因子,MEE退火温度和CdTe外延温度对R_a值来说影响是显著的。通过该系列实验得到最优的外延工艺条件。
- 王丛强宇高达师景霞
- 关键词：正交设计SI基复合衬底
- 低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量：6
- 2018年
- 随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial,MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流稳定性、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题,以及通过正交试验优化生长参数,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500cm^(-2)以内,最优值达到57.83cm-2。
- 高达王经纬王丛吴亮亮刘铭
- 关键词：分子束外延
- 4in硅基碲化镉的厚度均匀性研究
- 2020年
- 采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)方法在4 in硅衬底上进行了硅基碲化镉复合衬底生长工艺研究。使用光学轮廓仪、原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪等设备对碲化镉薄膜进行了测试。结果表明,碲化镉薄膜的厚度均匀性、表面粗糙度、翘曲度和半峰宽等都达到了预期标准,能为外延碲镉汞薄膜提供良好的衬底。
- 李震高达师景霞王丛
- 关键词：碲化镉硅基分子束外延
