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孙浩

作品数：21 被引量：61H指数：5
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 12篇碲镉汞
  • 7篇红外
  • 6篇探测器
  • 4篇刻蚀
  • 4篇计算机
  • 4篇焦平面
  • 4篇红外焦平面
  • 4篇仿真
  • 4篇仿真模拟
  • 3篇单色
  • 3篇液相外延
  • 3篇中波
  • 3篇碲镉汞器件
  • 3篇计算机仿真
  • 3篇计算机仿真模...
  • 3篇长波
  • 2篇制冷
  • 2篇制冷机
  • 2篇斯特林
  • 2篇斯特林制冷

机构

  • 21篇华北光电技术...

作者

  • 21篇孙浩
  • 8篇王成刚
  • 6篇朱西安
  • 3篇周立庆
  • 3篇宁提
  • 3篇康键
  • 3篇谭振
  • 2篇胡尚正
  • 2篇孙海燕
  • 2篇胡小燕
  • 2篇刘明
  • 2篇郭亮
  • 2篇李龙
  • 2篇折伟林
  • 2篇杨海燕
  • 1篇刘兴新
  • 1篇喻松林
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  • 1篇迟国春
  • 1篇赵玲

传媒

  • 10篇激光与红外
  • 4篇红外
  • 2篇红外技术
  • 1篇红外与激光工...
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  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇首届全国先进...
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年份

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  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 3篇2006
  • 2篇2005
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大面阵碲镉汞长波红外焦平面器件刻蚀工艺非均匀性研究被引量：5
2019年
作为探测器组件的性能指标之一,响应率非均匀性对其实际应用具有重要影响,尤其是在低背景空间应用领域。大面阵探测器芯片的接触孔尺寸不均匀是导致器件响应不均匀的因素之一。对1280×1024大面阵长波红外探测器芯片的接触孔刻蚀工艺进行了研究,并提出了优化改进措施。结果表明,本文方法可提高刻蚀工艺的均匀性,进而降低探测器组件响应率的非均匀性。
谭振杨海玲孙海燕孙浩周立庆
关键词：长波碲镉汞刻蚀非均匀性
双色碲镉汞红外焦平面探测器发展现状被引量：10
2009年
主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结构进行了阐述说明。
王成刚孙浩李敬国朱西安
关键词：碲镉汞红外焦平面阵列双色探测器分子束外延台面刻蚀
单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟
2006年
简介了 TCAD 软件对碲镉汞器件结构优化的意义;对单色碲镉汞光电器件结构进行模拟以及对存在的问题进行了分析;介绍了双色 MW-MW 结构器件关于光谱响应、量子效率、I-V 特性等方面的模拟结果,以及下阶段准备进行的工作。
孙浩王成刚
关键词：碲镉汞计算机辅助设计
红外热成像技术在民用领域的应用被引量：10
2019年
介绍了红外热成像技术的特点,讨论了红外热成像技术在民航、电力、石化、森林防火、医疗等民用领域的应用情况。介绍了红外热成像技术的市场状况,分析了不同应用领域对红外热成像技术的发展需求。
张敏韩芳康键孙浩郭亮李春领
关键词：红外热成像技术
液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究被引量：3
2017年
通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。
胡尚正郭明珠刘铭吴卿折伟林杨海燕孙浩周立庆
关键词：碲镉汞液相外延
原子力显微镜在材料器件工艺中的应用
2014年
介绍了原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试方面的应用。应用其可以进行磨抛后材料表面的粗糙度测试,接触孔形貌,以及外延后衬底的表面形貌。通过合理的选择扫描参数和探针,可以直观得到样品的表面形貌,接触孔还可以得到孔的尺寸和孔底形貌。尤其在接触孔测试方面,原子力的精度更高,抗干扰能力强且扫描结果更为直观,准确。本文通过对碲镉汞材料器件工艺中不同类型样品测试的介绍,认为原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试中发挥了较大的作用。
杨雅茹谭振侯晓敏孙浩
关键词：原子力显微镜形貌接触孔
碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析被引量：2
2014年
针对n-on-p型长波Hg1-x Cdx Te红外探测器的暗电流进行建模分析,分析了不同机制对暗电流的影响,仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark=9×10-10 A,工作电阻Rr=109Ω,品质因子R0A=20Ωcm2。从仿真分析结果得出,在现有工艺下,Shockley-Read-Hall(SRH)复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素,其中SRH复合速率为2×1016/s·cm3,当表面态到达1×1012 cm-2,器件会出现严重的表面沟道。
李龙孙浩朱西安
关键词：碲镉汞仿真模拟暗电流
单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟
简介了TCAD软件对碲镉汞器件结构优化的意义;对单色碲镉汞光电器件结构进行模拟以及对存在的问题进行了分析;介绍了双色MW-MW结构器件关于光谱响应、量子效率、I-V特性等方面的模拟结果,以及下阶段准备进行的工作。
孙浩王成刚
关键词：碲镉汞计算机辅助设计
文献传递
红外探测器工艺用器皿清洗方法研究被引量：1
2016年
红外探测器材料一般为窄带系材料,在其制备工艺过程中,杂质离子更容易导致缺陷能级或表面快态复合中心,需选取较优的器皿清洗方法,对工艺用器皿所含金属离子进行评测控制。本文通过电感耦合等离子体质谱仪对比碲镉汞红外探测器工艺线上不同的器皿及清洗方法,对清洗后金属离子残留测试分析,获得较佳的器皿清洗方法,更好地保证红外探测器制备后性能。
孙浩宁提龚志红白雪飞王文燕
关键词：红外探测器金属离子
碲镉汞长波探测器暗电流优化模拟被引量：2
2014年
报道了利用Silvaco软件对Hg1-x Cd x Te(x=0.22)n-on-p型长波探测器的模拟仿真结果。采用二维简化pn结模型,以品质因子R0A为标准,模拟计算了载流子寿命、缺陷密度、表面态、p区受主浓度、p区厚度、n区厚度宽度对暗电流的影响,得出在良好的品质因子范围内各个参量可以接受的范围。并针对重要参量利用软件对其复合速率,电流分布,载流子浓度等进行了详细模拟分析,为探测器设计制备提供了参考。
李龙孙浩朱西安
关键词：长波碲镉汞暗电流品质因子
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