吴卿
- 作品数：25 被引量：33H指数：4
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 512×8像素级数字化长波红外探测器研究被引量：2
- 2019年
- 像素级数字化红外探测器具有更高的性能水平和更强的抗干扰能力,是红外探测器技术发展的重要方向之一。通过突破像素级数字化读出电路设计、低峰谷碲镉汞材料外延、器件制备工艺以及倒装互连等关键技术,研制出了一种512×8像素级数字化长波红外探测器组件,并对其性能进行了测试。此探测器的响应波段为7.85~10.17 m,平均峰值响应率为1.4×1011 LSB/W,响应率非均匀性为9.13%,有效像元率为97.5%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为4.4 mK,动态范围为90.6 dB。测试结果表明,该探测器能够满足系统要求。
- 李忠贺康健王成刚张敏陈彦冠胡尚正周立庆吴卿袁媛
- 关键词：碲镉汞红外探测器长波红外数字化
- 5英寸锑化铟晶片加工及表征被引量：2
- 2022年
- 锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。
- 赵超孔忠弟董涛吴卿折伟林王小龙徐鹏艳李乾李达李聪聪
- 关键词：锑化铟晶片红外探测器
- 12.5μm碲镉汞探测器工作温度对输出电平的影响被引量：1
- 2020年
- 12.5μm碲镉汞探测器的输出电平对工作温度非常敏感,因此需要对其温度敏感度进行研究。试验中,通过调节探测器的工作温度来采集其输出电平,并对数据进行分析。结果表明,工作波长和暗电流随温度变化是导致输出电平变化的主要因素;12.5μm碲镉汞探测器的最佳工作温度在60 K附近。该方法操作简单,无需使用复杂的操作设备。大部分红外实验室均可满足此试验要求。
- 王亮刘建伟吴卿
- 关键词：碲镉汞截止波长暗电流工作温度
- 支撑结构对碲锌镉固液界面形状的影响被引量：2
- 2021年
- 在晶体生长过程中,固液界面形状与界面附近热流的状态有关。影响固液界面附近热流方向的因素有外部温场分布和材料热导率等。总结了常用的固液界面控制方式,然后采用CGSim温场模拟软件对3种使用不同支撑结构的晶体的生长过程进行了模拟,并对籽晶区以及锥形区内部固液界面的形状进行了对比。结果显示,支撑结构对籽晶区及锥形区内部固液界面的控制影响较大;通过采用合适的支撑结构设计并选取合适材料,同时配合外部温场的调节,能够得到理想的凸形固液界面。
- 徐强强吴卿
- 关键词：晶体生长支撑结构热流
- 双层异质结碲镉汞甚长波红外焦平面探测器研究进展被引量：4
- 2020年
- 报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.28μm,有效像元率为94.5%,平均峰值探测率为8.98×10^10 cm·Hz^1/2·W^-1。
- 谭振刘世光田震宋淑芳吴卿周立庆
- 关键词：碲镉汞红外焦平面探测器
- 大规模红外探测器冷箱结构的优化设计
- 2021年
- 针对大规模红外探测器的封装需求,介绍了冷箱封装结构的设计方法和特点。根据不同类型的大规模红外探测器组件的用途和需求,对其封装结构、重量、热负载以及可靠性等进行了分析,并针对某型大规模红外探测器组件的封装结构开展了优化设计。以轻量化、低功耗为设计思路,采用有限元仿真工具对封装结构进行了优化设计,使其能够满足设计要求。
- 付志凯方志浩张磊吴卿王成刚
- 关键词：红外探测器冷箱优化设计
- 光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响
- 2021年
- 通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿真计算,定量分析了碲镉汞材料片表面凸点对不同线宽光刻工艺非均匀性的影响,提出了降低光刻工艺非均匀性累积的方法和高质量光刻工艺对碲镉汞材料平坦度的具体要求。
- 张轶牛峻峰龚志红刘世光吴卿王成刚
- 关键词：MATLAB仿真
- 碲锌镉晶体生长全局热传递模拟模型准确度研究被引量：4
- 2018年
- 在碲锌镉晶体生长技术开发方面,数值模拟软件发挥着越来越重要的作用。以全局热传递模型为基础进行晶体生长模拟能够极大的提高模拟结果的实用性,缩短晶体生长设备及生长工艺的开发周期。但其前提是采用的全局热传递模型的准确度较高。因此,本文主要研究了几何模型、物性参数、边界控温条件等对模型准确度的影响,并根据模型计算值与炉体中心测温比较结果,修正了上述模型各参数,获得了在多种温度设定条件下,计算结果都能与实际过程很好的吻合的全局热传递模型。采用修正后的模型应用于碲锌镉晶体生长过程模拟,最终晶体生长模拟结果的温度与实际监测温度差距在2℃以内。
- 刘江高吴卿
- 关键词：碲锌镉晶体
- PBN坩埚生长碲锌镉单晶的性能与缺陷研究被引量：1
- 2019年
- 采用垂直布里奇曼法,利用热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉单晶(CdZnTe),并对晶体进行定向、切割与磨抛制成(111)面碲锌镉晶片。采用傅里叶红外透过光谱仪、红外透射显微镜、金相显微镜、X射线形貌仪、X射线衍射仪和X射线双晶衍射仪等仪器系统地检测和研究了碲锌镉晶体的性能与缺陷。研究发现:相比于石英坩埚,采用PBN坩埚生长的碲锌镉晶体单晶率和出片率均大幅增加,孪晶、小角晶界和位错密度明显减少。
- 范叶霞徐强强侯晓敏折伟林吴卿周立庆
- 关键词：碲锌镉晶体位错密度
- 液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究被引量：3
- 2017年
- 通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。
- 胡尚正郭明珠刘铭吴卿折伟林杨海燕孙浩周立庆
- 关键词：碲镉汞液相外延
