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宋淑芳

作品数：12 被引量：39H指数：4
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇碲镉汞
  • 5篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇HGCDTE
  • 2篇液相外延
  • 2篇碲镉汞红外探...
  • 2篇焦平面
  • 2篇红外焦平面
  • 2篇P型
  • 2篇长波
  • 2篇P-
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩二极管
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇原位
  • 1篇中波
  • 1篇太赫兹
  • 1篇欧姆接触

机构

  • 12篇华北光电技术...
  • 1篇辽宁省军区
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 12篇宋淑芳
  • 7篇田震
  • 4篇周立庆
  • 2篇邢伟荣
  • 2篇巩锋
  • 2篇谭振
  • 1篇胡尚正
  • 1篇孙浩
  • 1篇许秀娟
  • 1篇周翠
  • 1篇赵建建
  • 1篇吴卿
  • 1篇刘铭
  • 1篇折伟林

传媒

  • 10篇激光与红外
  • 1篇红外
  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展被引量：4
2019年
碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/三维成像、主/被动探测应用的重要器件。本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。
宋淑芳王小菊田震
关键词：HGCDTE雪崩二极管
量子阱太赫兹探测材料设计与生长的研究被引量：1
2015年
子带跃迁的量子阱结构太赫兹探测器具有响应速度快等特点,有广泛的应用前景,越来越受到研究人员的关注。以量子力学基本原理,量子阱结构材料光吸收的特性,以及光导型探测器暗电流分析为基础,进行了量子阱厚度、势垒层Al含量和量子阱掺杂浓度等参数的Al Ga As/Ga As量子阱太赫兹探测材料结构设计,按照优化后的外延参数进行了材料生长,获得了符合设计要求的探测材料。
宋淑芳邢伟荣
关键词：量子阱结构光导探测器
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格红外探测器的研究进展被引量：6
2014年
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料,基于成熟的Ⅲ-V族化合物材料与器件工艺,使得Ⅱ型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外探测器的要求,因而InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料将逐步替代HgCdTe、InSb等材料成为第三代红外探测器的首选材料。本文阐述了InAs/GaSb超晶格红外探测器的基本原理、以及材料生长和器件结构,并对其研究进展进行了综述性介绍。
宋淑芳巩锋周立庆
关键词：红外材料红外探测器
双层异质结碲镉汞甚长波红外焦平面探测器研究进展被引量：4
2020年
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.28μm,有效像元率为94.5%,平均峰值探测率为8.98×10^10 cm·Hz^1/2·W^-1。
谭振刘世光田震宋淑芳吴卿周立庆
关键词：碲镉汞红外焦平面探测器
量子级联激光器的原理及研究进展被引量：9
2013年
量子级联激光器的发明是半导体激光器领域里程碑的发展,开创了中远红外半导体激光的新领域,在红外对抗、毒品和爆炸物检测、环境污染监测、太赫兹成像等方向有广泛的应用前景。本文阐述了量子级联激光器的基本原理、以及材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。
宋淑芳邢伟荣刘铭
关键词：量子级联激光器
As掺杂p型碲镉汞材料的研究进展被引量：2
2017年
非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及在器件方面最新研究进展,为今后As掺杂碲镉汞材料的研究提供依据。
宋淑芳田震
关键词：P型掺杂碲镉汞红外焦平面
原位As掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究被引量：4
2018年
非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及其制备方法,为p-on-n碲镉汞材料器件研究提供依据。
宋淑芳田震
关键词：P型HGCDTE
碲镉汞p-on-n长波异质结探测器材料的制备研究被引量：6
2018年
报道了碲镉汞p+-on-n长波双层异质结材料和异质结台面器件的研究结果,重点研究了p+-on-n型双层异质结材料制备技术。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再采用富汞垂直液相外延技术制备p型As原位掺杂的碲镉汞cap层材料,从而获得p+-on-n型双层异质结材料,并通过湿法腐蚀、台面刻蚀以及钝化等工艺得到碲镉汞p+-on-n长波异质结台面型器件。p+-onn异质结器件结构可以有效克服少子寿命偏低等问题,在长波及甚长波波段具有更低的暗电流和更高的R0A值,这对于解决目前长波碲镉汞红外探测器暗电流大、结阻抗低的问题,提高长波及甚长波波段碲镉汞红外焦平面器件的性能具有重要的意义。
田震宋淑芳王小菊周立庆
关键词：碲镉汞
低暗电流高温工作碲镉汞红外探测器制备技术被引量：6
2019年
报道了与传统的n-on-p结构相比具有更低暗电流的p^+-on-n型碲镉汞红外探测器的研究进展。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再分别采用As离子注入技术和富汞垂直液相外延技生长技术实现了P型As外掺杂的p^+-on-n型平面型和双层异质结台面型两种结构的芯片制备。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,期望碲镉汞探测器在不降低性能的前提下具有更高的工作温度(High Operating Temperature,HOT),成为红外探测器技术发展的主要方向。本文对基于标准的n-on-p(Hg空位)掺杂工艺及新研制的p-on-n型As离子注入及异质结制备技术的探测器进行了高温性能测试,测试结果表明采用p-on-n型的碲镉汞探测器能够实现更高的工作温度。
田震肖昕宋淑芳胡尚正周立庆
关键词：碲镉汞
低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究被引量：2
2013年
利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为120s时,欧姆接触电阻率为最低3.52×10-4Ωcm-2,这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定了基础。
宋淑芳赵建建谭振孙浩
关键词：欧姆接触
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