田震
- 作品数：10 被引量：25H指数：4
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法及应用被引量：3
- 2015年
- 碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的研究至关重要。本文阐述了可用于表征碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法,简要介绍了各个测试方法的原理和功能;并对评价方法进行了具体应用,得到了非常有价值的实验结果。这对碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的认识和后续的工艺优化具有非常重要的指导意义。
- 许秀娟田震
- 关键词：碲镉汞减薄损伤层
- HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展被引量：4
- 2019年
- 碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/三维成像、主/被动探测应用的重要器件。本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。
- 宋淑芳王小菊田震
- 关键词：HGCDTE雪崩二极管
- 原位As掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究被引量：4
- 2018年
- 非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及其制备方法,为p-on-n碲镉汞材料器件研究提供依据。
- 宋淑芳田震
- 关键词：P型HGCDTE
- 碲镉汞p-on-n长波异质结探测器材料的制备研究被引量：6
- 2018年
- 报道了碲镉汞p+-on-n长波双层异质结材料和异质结台面器件的研究结果,重点研究了p+-on-n型双层异质结材料制备技术。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再采用富汞垂直液相外延技术制备p型As原位掺杂的碲镉汞cap层材料,从而获得p+-on-n型双层异质结材料,并通过湿法腐蚀、台面刻蚀以及钝化等工艺得到碲镉汞p+-on-n长波异质结台面型器件。p+-onn异质结器件结构可以有效克服少子寿命偏低等问题,在长波及甚长波波段具有更低的暗电流和更高的R0A值,这对于解决目前长波碲镉汞红外探测器暗电流大、结阻抗低的问题,提高长波及甚长波波段碲镉汞红外焦平面器件的性能具有重要的意义。
- 田震宋淑芳王小菊周立庆
- 关键词：碲镉汞
- 双层异质结碲镉汞甚长波红外焦平面探测器研究进展被引量：4
- 2020年
- 报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.28μm,有效像元率为94.5%,平均峰值探测率为8.98×10^10 cm·Hz^1/2·W^-1。
- 谭振刘世光田震宋淑芳吴卿周立庆
- 关键词：碲镉汞红外焦平面探测器
- 三维集成技术在红外探测器中的应用
- 2022年
- 红外探测器被广泛应用于红外侦查、预警、制导、遥感等领域。近些年来,随着应用需求的不断牵引,红外探测器在保持高空间分辨率、高温度灵敏度的同时,还需兼顾向小型化、集成化的发展。传统的单片式信号处理电路在极限性能、功能集成度方面已难以满足未来红外系统的发展需求,基于三维集成技术的红外探测器逐步成为解决方案之一,本文对微电子器件三维集成技术进行了简要介绍,列举了国外相关研究机构利用三维集成技术研制红外探测器的进展,探讨了三维集成技术在红外探测器研制中面临的挑战。
- 谭振聂媛于艳田震喻松林
- 关键词：红外探测器
- 低暗电流高温工作碲镉汞红外探测器制备技术被引量：6
- 2019年
- 报道了与传统的n-on-p结构相比具有更低暗电流的p^+-on-n型碲镉汞红外探测器的研究进展。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再分别采用As离子注入技术和富汞垂直液相外延技生长技术实现了P型As外掺杂的p^+-on-n型平面型和双层异质结台面型两种结构的芯片制备。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,期望碲镉汞探测器在不降低性能的前提下具有更高的工作温度(High Operating Temperature,HOT),成为红外探测器技术发展的主要方向。本文对基于标准的n-on-p(Hg空位)掺杂工艺及新研制的p-on-n型As离子注入及异质结制备技术的探测器进行了高温性能测试,测试结果表明采用p-on-n型的碲镉汞探测器能够实现更高的工作温度。
- 田震肖昕宋淑芳胡尚正周立庆
- 关键词：碲镉汞
- As掺杂p型碲镉汞材料的研究进展被引量：2
- 2017年
- 非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及在器件方面最新研究进展,为今后As掺杂碲镉汞材料的研究提供依据。
- 宋淑芳田震
- 关键词：P型掺杂碲镉汞红外焦平面
- 碲镉汞红外探测器性能调控技术研究被引量：1
- 2021年
- 对影响Hg_(1-x)Cd_(x)Te红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器件制备等的影响)等——进行了简单介绍,以合理调控器件性能、有效降低器件暗电流、提高器件工作温度等,从而促进Hg_(1-x)Cd_(x)Te红外探测器在降低成本、减小功耗、提高可靠性等方面的发展。
- 何温王丛田震王鑫高达杨海燕柏伟
- 关键词：红外探测器
- 高工作温度碲镉汞红外探测器研究进展被引量：2
- 2022年
- 高工作温度碲镉汞红外探测器作为最近来发展起来的新型探测器,在保证性能不变的基础上,实现了尺寸小、重量轻、功耗低等功能,成为军事侦察、无人机、无人平台的重要探测器件。本文阐述了高工作温度碲镉汞红外探测器的基本原理,重点介绍了碲镉汞P-on-N红外探测器的器件结构设计,并且对美国Raytheon、法国Sofradir、德国AIM、美国Teledyne、美国DRS等公司的研究进展进行了综述性介绍。
- 宋淑芳黄来玉田震
- 关键词：HGCDTE中波长波
