胡尚正
- 作品数：9 被引量：21H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究
- 本研究采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好...
- 周立庆刘兴新巩锋胡尚正
- 关键词：红外材料薄膜生长液相外延晶体结构
- 文献传递
- 512×8像素级数字化长波红外探测器研究被引量：2
- 2019年
- 像素级数字化红外探测器具有更高的性能水平和更强的抗干扰能力,是红外探测器技术发展的重要方向之一。通过突破像素级数字化读出电路设计、低峰谷碲镉汞材料外延、器件制备工艺以及倒装互连等关键技术,研制出了一种512×8像素级数字化长波红外探测器组件,并对其性能进行了测试。此探测器的响应波段为7.85~10.17 m,平均峰值响应率为1.4×1011 LSB/W,响应率非均匀性为9.13%,有效像元率为97.5%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为4.4 mK,动态范围为90.6 dB。测试结果表明,该探测器能够满足系统要求。
- 李忠贺康健王成刚张敏陈彦冠胡尚正周立庆吴卿袁媛
- 关键词：碲镉汞红外探测器长波红外数字化
- 液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究被引量：3
- 2017年
- 通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。
- 胡尚正郭明珠刘铭吴卿折伟林杨海燕孙浩周立庆
- 关键词：碲镉汞液相外延
- 衬底表面状态对碲镉汞薄膜表面起伏的影响被引量：3
- 2017年
- 通过改变碲锌镉衬底的表面加工方法及溴-甲醇腐蚀液的浓度,研究衬底的表面状态对碲镉汞薄膜表面起伏情况的影响。利用傅里叶红外透射(FTIR)光谱议、晶片扫描成像系统、光学显微镜等工具对不同条件下的碲镉汞薄膜的表面起伏情况进行观察和比较。研究初步发现碲锌镉衬底不经过化学抛光,以及不经过腐蚀直接进行外延的情况下得到的碲镉汞薄膜的表面起伏状况会得到一定程度的改善,但是考虑溴-甲醇腐蚀液对机械抛光造成的表面应力的释放作用以及外延过程中的衬底回熔的相互作用会使得外延所得碲镉汞薄膜表面起伏情况更加复杂。因此,仍需要对衬底使用前的化学抛光对薄膜表面起伏的作用以及确定合适的溴-甲醇腐蚀液的浓度进行进一步的研究。
- 杨海燕胡尚正郭明珠
- 关键词：碲镉汞化学抛光
- 低暗电流高温工作碲镉汞红外探测器制备技术被引量：6
- 2019年
- 报道了与传统的n-on-p结构相比具有更低暗电流的p^+-on-n型碲镉汞红外探测器的研究进展。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再分别采用As离子注入技术和富汞垂直液相外延技生长技术实现了P型As外掺杂的p^+-on-n型平面型和双层异质结台面型两种结构的芯片制备。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,期望碲镉汞探测器在不降低性能的前提下具有更高的工作温度(High Operating Temperature,HOT),成为红外探测器技术发展的主要方向。本文对基于标准的n-on-p(Hg空位)掺杂工艺及新研制的p-on-n型As离子注入及异质结制备技术的探测器进行了高温性能测试,测试结果表明采用p-on-n型的碲镉汞探测器能够实现更高的工作温度。
- 田震肖昕宋淑芳胡尚正周立庆
- 关键词：碲镉汞
- 液相外延碲镉汞薄膜表面的结晶类缺陷分析被引量：4
- 2019年
- 利用扫描电镜、能谱分析、光学轮廓仪以及金相显微镜等测试手段对 液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷的形貌、成分和断面进行了分析,并研究了不同 种类表面缺陷的特征及来源。结果表明,液相外延碲镉汞薄膜表面上存在的结 晶类缺陷往往尺寸较大或成片分布,对后续器件产生明显影响。通过分析其成 因可以发现,母液均匀性的提升是减少该类缺陷和提高碲镉汞薄膜质量的关键。
- 杨海燕侯晓敏胡尚正刘铭曹鹏飞赵硕
- 关键词：碲镉汞
- 碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究
- 2007年
- 文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。采用碲锌镉缓冲结构生长了碲镉汞液相外延片,其碲锌镉与碲镉汞薄膜界面附近的杂质得到了有效的控制。
- 周立庆刘兴新巩锋胡尚正
- 关键词：液相外延
- 碲镉汞p型接触孔湿法腐蚀工艺研究被引量：1
- 2019年
- 针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征。实验结果表明,传统湿法腐蚀工艺在碲镉汞芯片接触孔制备过程中存在钻蚀严重和均匀性不好等问题,针对以上问题提出了一种超声辅助湿法腐蚀工艺,制备出形貌及均匀性较好的p型接触孔。
- 陈慧卿白雪飞宁提胡尚正
- 关键词：碲镉汞湿法腐蚀
- 中波碲镉汞p-on-n高温工作技术研究被引量：8
- 2020年
- 针对碲镉汞中波p-on-n技术进行研究,采用二次离子质谱仪分析注入后及退火后As离子在碲镉汞材料中的浓度分布,使用透射电镜表征激活退火后离子注入损伤修复状态,通过半导体参数测试仪评价pn结的IV特性,将探测器芯片装在变温杜瓦中测试其不同温度下的焦平面技术指标。研究结果表明,As离子注入后在碲镉汞体内形成大量缺陷,经过富汞退火后缺陷得到修复,同时As离子进一步向内扩散,制备的pn结工作稳定表明As离子得到有效激活,制备的中波p-on-n探测器芯片在120 K温度下有效像元率可以达到99%以上。
- 陈慧卿史春伟胡尚正孙海燕王成刚孙浩
- 关键词：碲镉汞
