任利平
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
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- BCCD沟道电势直流测试方法研究
- 2011年
- 提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道电势测试,确定BCCD随栅压变化的沟道电势曲线。实验结果表明,选取宽长比为11/5的NMOS管、源电流为0.01μA的测试条件,能够很好地模拟BCCD的工作状态。通过对1 024×1 024可见光BCCD进行验证测试,证实该方法可靠。
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- 关键词：BCCD
- 热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响被引量：1
- 2014年
- 针对CCD片上放大器的寿命进行了研究。通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命。研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制作LDD结构可提高CCD片上放大器寿命。
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- 关键词：CCD放大器热载流子效应
- 硅基紫外增强型光电二极管的研制
- 2021年
- 详细介绍了器件结构设计和制作工艺,描述了采用低能离子注入、高温快速热处理等工艺技术,研制出高性能硅基紫外增强型PIN光电二极管。对器件暗电流和光谱特性等进行了测试分析。实验结果表明,探测器暗电流小于1.0nA(V_(R)=100V),响应度达到0.13A/W(λ=250nm),响应时间约5.5ns(V_(R)=15V),量子效率在波长220~360nm范围内达到50%~70%。
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- 关键词：PIN光电二极管暗电流响应度
