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岳志强

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇刻蚀
  • 3篇CCD
  • 2篇电路
  • 1篇低损耗
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电荷耦合
  • 1篇电荷耦合器
  • 1篇电荷耦合器件
  • 1篇电路验证
  • 1篇电路制造
  • 1篇尾纤
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇模型参数提取
  • 1篇近红外
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路制造
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇硅波导

机构

  • 6篇重庆光电技术...

作者

  • 6篇岳志强
  • 2篇廖乃镘
  • 2篇苏玉棉
  • 2篇曲鹏程
  • 2篇杨修伟
  • 2篇廖晓航
  • 1篇祝晓笑
  • 1篇翁雪涛
  • 1篇刘昌林
  • 1篇韩恒利
  • 1篇吴琼瑶
  • 1篇汪凌
  • 1篇向华兵
  • 1篇成精折
  • 1篇袁安波
  • 1篇任利平
  • 1篇柳益
  • 1篇雷仁方
  • 1篇吕玉冰

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 2篇电子技术（上...
  • 1篇内燃机与配件

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
低噪声尾纤光电探测模块结构设计被引量：1
2017年
光电探测器模块噪声水平的高低在一定程度上影响着光纤陀螺的精度。本文设计了一种用于高精度光纤陀螺的尾纤探测器模块,由于其跨阻式反馈电路结构决定了噪声输出水平较高,通过更改模块探测器芯片接入前置放大电路的电气连接原理,在保证其它光电参数不变的前提下,在全温度范围内,其整体噪声输出降低了约30%。
刘果成精折岳志强
关键词：低噪声
PCM测试参数与CCD工艺关系研究
2020年
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积(LPCVD)温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF4流量为15cm3/min、CHF3流量为45cm3/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×1012atom/cm2时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl2流量为90cm3/min,BCl3流量为45cm3/min,N2流量为30cm3/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。
岳志强曲鹏程杨修伟向华兵廖乃镘
关键词：PCM电荷耦合器件LPCVD干法刻蚀
近红外增强CCD成像器件研究被引量：1
2021年
阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应灵敏度。结果表明,在400~1060nm波长范围内,黑硅反射率小于7%,吸收率大于93%。黑硅CCD近红外响应得到增强,与常规CCD相比,在波长950~1060nm的量子效率分别从34%和1%提高到41.8%和16.1%。
曲鹏程陈清华吴琼瑶廖乃镘岳志强廖晓航刘昌林
关键词：反应离子刻蚀
基于CCD工艺提取MOS模型的电路验证
2012年
对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型,在CCD片上放大器电路上进行了验证,通过在直流、瞬态和交流条件下对比电路的仿真数据和实际测试数据,验证了该模型,即提取的模型能够满足电路模拟的要求。
吕玉冰祝晓笑翁雪涛岳志强苏玉棉
关键词：CCD模型参数提取
低损耗硅波导刻蚀技术研究
2021年
阐述采用HBr和HeO2混合气体,开展了低损耗硅波导刻蚀工艺研究。通过调节混合气体配比、腔室压力、射频源功率和偏压功率等对比实验,探索各工艺参数对硅波导刻蚀形貌的影响并优化了工艺条件。在该工艺条件下制做出了插损小于0.3 dB/cm、侧壁粗糙度小于22nm的硅波导。
杨修伟雷仁方袁安波岳志强李琳
关键词：集成电路制造硅波导刻蚀粗糙度插损
BCCD沟道电势直流测试方法研究
2011年
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道电势测试,确定BCCD随栅压变化的沟道电势曲线。实验结果表明,选取宽长比为11/5的NMOS管、源电流为0.01μA的测试条件,能够很好地模拟BCCD的工作状态。通过对1 024×1 024可见光BCCD进行验证测试,证实该方法可靠。
汪凌韩恒利任利平廖晓航柳益苏玉棉岳志强
关键词：BCCD
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