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曲鹏程

作品数：6 被引量：7H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇刻蚀
  • 3篇电荷耦合
  • 3篇电荷耦合器
  • 3篇电荷耦合器件
  • 3篇CCD
  • 2篇氮化
  • 2篇选择比
  • 2篇图像
  • 2篇图像传感器
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化钛
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇氧化硅
  • 1篇时间延迟积分
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇近红外
  • 1篇激光

机构

  • 6篇重庆光电技术...

作者

  • 6篇曲鹏程
  • 4篇廖乃镘
  • 2篇杨修伟
  • 2篇袁安波
  • 2篇岳志强
  • 2篇向鹏飞
  • 1篇张勇
  • 1篇徐道润
  • 1篇刘昌林
  • 1篇吴琼瑶
  • 1篇唐代飞
  • 1篇罗春林
  • 1篇向华兵
  • 1篇郭培
  • 1篇林珑君
  • 1篇姜华男
  • 1篇钟玉杰
  • 1篇李睿智
  • 1篇雷仁方
  • 1篇廖晓航

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 1篇电子科技
  • 1篇电子技术（上...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
四谱段TDICCD图像传感器的设计与制作
2022年
设计并研制了一种四谱段时间延迟积分电荷耦合器件(TDICCD)图像传感器,器件将四个TDICCD集成在同一芯片上,通过在光窗对应位置上镀不同的窄带滤光膜实现多谱段分光。该TDICCD图像传感器的像元尺寸为28μm×28μm,水平寄存器的有效像元数为3072元,行频为10 kHz,电荷转移效率高达0.99999,饱和输出电压为2650 mV,抗弥散能力大于等于100倍,动态范围为7143∶1。
徐道润刘业琦袁安波廖乃镘曲鹏程罗春林张晓琴
关键词：时间延迟积分电荷耦合器件图像传感器
CCD新型遮光层工艺技术研究被引量：1
2016年
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料。研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响。通过优化工艺参数,获得了适合于刻蚀氮化钛遮光层的工艺条件。
向鹏飞姜华男曲鹏程杨修伟
关键词：氮化钛刻蚀选择比
氮化硅等离子体刻蚀工艺研究被引量：5
2017年
针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题。为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响。实验表明,在CH,F流量为25,O2流量为40 sccm,腔内压强为67 Pa,功率为150 W的条件下,得到氮化硅对二氧化硅选择比为15∶1,非均匀性3.87%的氮化硅刻蚀工艺。
曲鹏程唐代飞向鹏飞袁安波
关键词：氮化硅二氧化硅等离子体刻蚀选择比
激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究
2023年
激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm^(2)能量密度、50%~65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。
钟玉杰雷仁方林珑君李睿智张勇曲鹏程郭培廖乃镘
关键词：激光退火电荷耦合器件图像传感器
PCM测试参数与CCD工艺关系研究
2020年
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积(LPCVD)温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF4流量为15cm3/min、CHF3流量为45cm3/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×1012atom/cm2时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl2流量为90cm3/min,BCl3流量为45cm3/min,N2流量为30cm3/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。
岳志强曲鹏程杨修伟向华兵廖乃镘
关键词：PCM电荷耦合器件LPCVD干法刻蚀
近红外增强CCD成像器件研究被引量：1
2021年
阐述采用背照式CCD工艺,制备一种新型的近红外增强CCD。相比较传统的近红外增强CCD(增加外延层厚度),基于反应离子刻蚀法在该器件背面进行了黑硅制作,在紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强CCD近红外响应灵敏度。结果表明,在400~1060nm波长范围内,黑硅反射率小于7%,吸收率大于93%。黑硅CCD近红外响应得到增强,与常规CCD相比,在波长950~1060nm的量子效率分别从34%和1%提高到41.8%和16.1%。
曲鹏程陈清华吴琼瑶廖乃镘岳志强廖晓航刘昌林
关键词：反应离子刻蚀
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