袁安波
- 作品数：15 被引量：19H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重大航天工程更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 关于CCD铝布线光刻工艺质量的优化研究
- 2017年
- 针对CCD器件制作过程中铝布线的光刻工艺质量较差问题,阐述了其产生的原因和对后续刻蚀工艺造成的影响及对器件性能造成的不良结果。文中从改进光刻工艺参数的角度入手进行试验查找相应的解决办法,通过为高台阶层次添加焦距补偿的方法提高铝布线的光刻工艺质量。通过器件性能测试验证了其可行性,在之后制定了工艺规范,使器件整体的工艺能力和成品率得到显著提升。
- 高建威韩沛东向鹏飞杨修伟袁安波
- 关键词：CCD光刻
- 一种新的微透镜阵列制作技术
- 2012年
- 介绍了一种利用光刻、等离子体刻蚀和高温热熔等工艺在PMMA材料上制作折射微透镜的新方法,该方法具有刻蚀工艺容差大、热熔后球冠形貌好、易于和CCD实现工艺集成等优点。经过对各个工艺参数的优化实验,制备出了具有良好球冠形貌的微透镜阵列,并成功与256×256内线转移CCD完成了工艺集成,集成后微透镜阵列的整体形貌和尺寸与设计值相吻合。
- 向鹏飞李贝袁安波
- 关键词：微透镜光刻刻蚀热熔
- 氮化硅等离子体刻蚀工艺研究被引量：5
- 2017年
- 针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题。为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响。实验表明,在CH,F流量为25,O2流量为40 sccm,腔内压强为67 Pa,功率为150 W的条件下,得到氮化硅对二氧化硅选择比为15∶1,非均匀性3.87%的氮化硅刻蚀工艺。
- 曲鹏程唐代飞向鹏飞袁安波
- 关键词：氮化硅二氧化硅等离子体刻蚀选择比
- 资源一号02D卫星可见近红外相机技术与验证被引量：5
- 2020年
- 资源一号02D卫星主载荷可见近红外相机可以获取2.5m(全色)/10m(多光谱)地面像元分辨率影像、115km大幅宽地面景物,具有1个全色和8个多光谱谱段。为满足多谱段图像信息获取的需求,可见近红外相机从光学系统设计入手,通过采用双通道成像方式实现一台相机设置9个光谱谱段。研制过程中攻克了四色探测器的研制、双通道谱段间的配准、高集成电路设计、光机结构高稳定性设计等关键技术,有效地保证了相机的高性能指标。通过地面测试和在轨运行情况表明:相机设计合理,相机功能、性能满足研制要求,在轨图像品质优异。
- 李庆林徐先锋魏志勇袁安波张占东安萌于生全
- 光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响被引量：1
- 2008年
- 分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响。该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考。
- 刘方汪凌袁安波唐利李贝
- 关键词：离子注入特征尺寸
- 四谱段TDICCD图像传感器的设计与制作
- 2022年
- 设计并研制了一种四谱段时间延迟积分电荷耦合器件(TDICCD)图像传感器,器件将四个TDICCD集成在同一芯片上,通过在光窗对应位置上镀不同的窄带滤光膜实现多谱段分光。该TDICCD图像传感器的像元尺寸为28μm×28μm,水平寄存器的有效像元数为3072元,行频为10 kHz,电荷转移效率高达0.99999,饱和输出电压为2650 mV,抗弥散能力大于等于100倍,动态范围为7143∶1。
- 徐道润刘业琦袁安波廖乃镘曲鹏程罗春林张晓琴
- 关键词：时间延迟积分电荷耦合器件图像传感器
- CCD多晶硅刻蚀技术研究被引量：1
- 2010年
- CCD晶硅刻蚀相比于传统CMOS工艺的多晶硅刻蚀需要多晶硅对氮化硅更高的刻蚀选择比,更长的过刻蚀时间。采用Cl2+He,Cl2+He+O2,Cl2+He+O2+HBr三种工艺气体组分在Lam4420机台进行了多晶硅刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于CCD多层多晶硅刻蚀的工艺条件。
- 向鹏飞袁安波杨修伟高建威
- 关键词：多晶硅刻蚀选择比CCD
- 大阵列CCD光刻图形拼接技术研究被引量：3
- 2015年
- 针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求,提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法。图形拼接处进行相反的补偿设计0.3μm"凹陷",曝光时拼接交叠0.3μm。光刻后,图形拼接处平滑、自然过渡,图形整体上拼接自然,较好地解决了光刻大面积图形曝光存在的固有图形缺陷问题,改善了光刻曝光图形的质量。
- 李佳高建威袁安波杨修伟杨洪
- 关键词：CCD光刻
- 长线阵CCD光敏区铝剥离技术
- 2010年
- 介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影响。通过优化工艺参数,实现了长线阵CCD光敏区的铝剥离,剥离后光敏区长度为8cm,宽度平均值为6.2μm,线宽均匀性为98.5%。
- 曾武贤张振宇廖乃镘钟玉杰袁安波
- 关键词：CCD显影均匀性
- 颗粒对CCD光刻图形完整性的影响分析被引量：2
- 2012年
- 分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶硅时,颗粒阻碍曝光和刻蚀,引起沟阻或多晶硅连条,使CCD的像元划分和信号电子的定向转移遭受破坏,降低器件成品率。
- 张故万袁安波雷仁方
- 关键词：CCD
