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杨修伟

作品数：10 被引量：5H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇CCD
  • 5篇刻蚀
  • 3篇选择比
  • 2篇氮化
  • 2篇光刻
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化钛
  • 1篇低损耗
  • 1篇电荷耦合
  • 1篇电荷耦合器
  • 1篇电荷耦合器件
  • 1篇电路
  • 1篇电路制造
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧化硅
  • 1篇阵列
  • 1篇微结构
  • 1篇小尺寸
  • 1篇面阵

机构

  • 10篇重庆光电技术...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 10篇杨修伟
  • 6篇袁安波
  • 5篇高建威
  • 5篇向鹏飞
  • 3篇向华兵
  • 2篇邓涛
  • 2篇廖乃镘
  • 2篇曲鹏程
  • 2篇岳志强
  • 1篇李仁豪
  • 1篇伍明娟
  • 1篇罗春林
  • 1篇姜华男
  • 1篇杨洪
  • 1篇李佳
  • 1篇雷仁方
  • 1篇刘晓琴

传媒

  • 6篇半导体光电
  • 2篇电子科技
  • 2篇电子技术（上...

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2010
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
刻蚀小尺寸CCD接触孔工艺研究被引量：1
2014年
采用CF4,CHF3,Ar三种工艺气体进行小尺寸CCD接触孔刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽控制、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于刻蚀CCD小孔的工艺条件。
向鹏飞邓涛杨修伟高建威
关键词：二氧化硅刻蚀选择比CCD
CCD新型遮光层工艺技术研究被引量：1
2016年
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料。研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响。通过优化工艺参数,获得了适合于刻蚀氮化钛遮光层的工艺条件。
向鹏飞姜华男曲鹏程杨修伟
关键词：氮化钛刻蚀选择比
关于CCD铝布线光刻工艺质量的优化研究
2017年
针对CCD器件制作过程中铝布线的光刻工艺质量较差问题,阐述了其产生的原因和对后续刻蚀工艺造成的影响及对器件性能造成的不良结果。文中从改进光刻工艺参数的角度入手进行试验查找相应的解决办法,通过为高台阶层次添加焦距补偿的方法提高铝布线的光刻工艺质量。通过器件性能测试验证了其可行性,在之后制定了工艺规范,使器件整体的工艺能力和成品率得到显著提升。
高建威韩沛东向鹏飞杨修伟袁安波
关键词：CCD光刻
PCM测试参数与CCD工艺关系研究
2020年
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究,并对PCM测试结果进行统计分析,以达到测试结果用于工艺改进的目的,并最终获取最佳工艺条件。结果表明:低压化学气相沉积(LPCVD)温度为700℃、膜厚为580nm时的方块电阻为18Ω/□;孔工艺采用干法刻蚀CF4流量为15cm3/min、CHF3流量为45cm3/min下的接触电阻为7Ω;栅下埋沟注入磷离子能量为250keV、剂量为2.5×1012atom/cm2时,MOS管阈值电压为-8.5V;二次铝刻蚀主刻蚀采用Cl2流量为90cm3/min,BCl3流量为45cm3/min,N2流量为30cm3/min可有效避免因残留物引起的金属同层漏电。
岳志强曲鹏程杨修伟向华兵廖乃镘
关键词：PCM电荷耦合器件LPCVD干法刻蚀
大阵列CCD光刻图形拼接技术研究被引量：3
2015年
针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求,提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法。图形拼接处进行相反的补偿设计0.3μm"凹陷",曝光时拼接交叠0.3μm。光刻后,图形拼接处平滑、自然过渡,图形整体上拼接自然,较好地解决了光刻大面积图形曝光存在的固有图形缺陷问题,改善了光刻曝光图形的质量。
李佳高建威袁安波杨修伟杨洪
关键词：CCD光刻
降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性
2021年
阐述大面阵电荷耦合器件(CCD)多晶硅刻蚀。由于器件尺寸大,器件的分布空间有限,易受到刻蚀负载效应影响,造成底层氮化硅损伤不一致。8000×8000元可见光传感器件经过三次多晶硅刻蚀后,氮化硅的损伤非均匀性达20%以上。通过对刻蚀负载效应的分析和工艺的优化,该器件经过三次多晶硅刻蚀后的氮化硅损伤非均匀性降低到了5%以下。
袁安波杨修伟何建强向华兵方刚
关键词：CCD氮化硅非均匀性
黑硅微结构与光学特性研究
2017年
利用无掩模反应离子刻蚀法制备黑硅,研究了黑硅微结构密度和高度对其光学特性的影响。采用场发射扫描电子显微镜和带积分球的紫外-可见-近红外分光光度计分别表征黑硅微结构形貌和光学特性。研究结果表明,黑硅微结构密度增大和高度增加,则黑硅吸收率增大,高度较大的微结构更加有利于增强黑硅近红外光吸收。无掩模反应离子刻蚀法制备的黑硅的吸收率在高温退火过程中保持稳定。
廖乃镘刘晓琴杨修伟寇琳来罗春林向华兵伍明娟李仁豪
关键词：微结构光学性能
低损耗硅波导刻蚀技术研究
2021年
阐述采用HBr和HeO2混合气体,开展了低损耗硅波导刻蚀工艺研究。通过调节混合气体配比、腔室压力、射频源功率和偏压功率等对比实验,探索各工艺参数对硅波导刻蚀形貌的影响并优化了工艺条件。在该工艺条件下制做出了插损小于0.3 dB/cm、侧壁粗糙度小于22nm的硅波导。
杨修伟雷仁方袁安波岳志强李琳
关键词：集成电路制造硅波导刻蚀粗糙度插损
CCD曝光工艺常见缺陷及解决办法
2014年
CCD器件曝光过程中会产生各种缺陷,由此会对线宽和图形产生不良影响。文中针对这些缺陷分析了成因并找到相应的解决办法,形成严谨的工艺规范以达到消除缺陷的目的,同时使得工艺能力和成品率得到了显著提升。
高建威向鹏飞邓涛杨修伟袁安波
关键词：CCD
CCD多晶硅刻蚀技术研究被引量：1
2010年
CCD晶硅刻蚀相比于传统CMOS工艺的多晶硅刻蚀需要多晶硅对氮化硅更高的刻蚀选择比,更长的过刻蚀时间。采用Cl2+He,Cl2+He+O2,Cl2+He+O2+HBr三种工艺气体组分在Lam4420机台进行了多晶硅刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于CCD多层多晶硅刻蚀的工艺条件。
向鹏飞袁安波杨修伟高建威
关键词：多晶硅刻蚀选择比CCD
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