向鹏飞
- 作品数：13 被引量：13H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- CCD热工艺过程的硅片翘曲优化研究
- 2012年
- 针对光刻线宽均匀性控制问题,研究了硅片翘曲度对光刻线宽均匀性的影响。采用翘曲度测试仪研究热工艺过程中硅片翘曲度的变化。研究结果表明,硅片翘曲度对线宽均匀性产生重要的影响,翘曲度大,则线宽均匀性降低。通过优化栅氧化工艺的升降温速率、进出炉速率,使硅片翘曲度降低,线宽非均匀性由±4%降低到±2%。
- 吴可邓涛雷仁方向鹏飞
- 关键词：CCD翘曲度
- 刻蚀小尺寸CCD接触孔工艺研究被引量：1
- 2014年
- 采用CF4,CHF3,Ar三种工艺气体进行小尺寸CCD接触孔刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽控制、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于刻蚀CCD小孔的工艺条件。
- 向鹏飞邓涛杨修伟高建威
- 关键词：二氧化硅刻蚀选择比CCD
- 氮化硅等离子体刻蚀工艺研究被引量：5
- 2017年
- 针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题。为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响。实验表明,在CH,F流量为25,O2流量为40 sccm,腔内压强为67 Pa,功率为150 W的条件下,得到氮化硅对二氧化硅选择比为15∶1,非均匀性3.87%的氮化硅刻蚀工艺。
- 曲鹏程唐代飞向鹏飞袁安波
- 关键词：氮化硅二氧化硅等离子体刻蚀选择比
- CCD彩色滤光片的制备与集成技术研究被引量：2
- 2015年
- 介绍了彩色CCD的器件结构和成像原理,采用彩色光刻胶光刻法实现了彩色滤光片的制备,并通过分析彩色滤光片缓冲层、滤光片厚度和固化工艺等对滤光片性能的影响,获得了彩色滤光片的片上集成技术,并将其集成在512×512帧转移CCD器件上,完成了性能评价与成像验证。测试结果表明:制备的彩色滤光片主线透过率大于80%,光谱串扰小于15%,色纯度大于75%,集成该滤光片的彩色CCD成像色彩空间与sRGB相当,能够满足大多数CCD相机彩色成像的要求。
- 黄建向鹏飞陈红兵李仁豪
- 关键词：CCD彩色滤光片彩色CCD
- 关于CCD铝布线光刻工艺质量的优化研究
- 2017年
- 针对CCD器件制作过程中铝布线的光刻工艺质量较差问题,阐述了其产生的原因和对后续刻蚀工艺造成的影响及对器件性能造成的不良结果。文中从改进光刻工艺参数的角度入手进行试验查找相应的解决办法,通过为高台阶层次添加焦距补偿的方法提高铝布线的光刻工艺质量。通过器件性能测试验证了其可行性,在之后制定了工艺规范,使器件整体的工艺能力和成品率得到显著提升。
- 高建威韩沛东向鹏飞杨修伟袁安波
- 关键词：CCD光刻
- 黑硅的无掩模反应离子刻蚀法制备及光学性能研究被引量：2
- 2016年
- 采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅。利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性。结果表明,黑硅微结构高度为2.0~3.5μm,径向尺寸90~400nm,间距200~610nm。在400~1 000nm光谱范围内黑硅吸收率为94%,是单晶硅的1.5倍;在1 200~1 700nm光谱范围吸收率为55%~60%,是B掺杂单晶硅的20倍。制备的黑硅的光学带隙为0.600 6eV,吸收光谱明显向红外方向偏移。
- 廖乃镘向鹏飞李仁豪
- 关键词：反应离子刻蚀无掩模光学性能
- 一种新的微透镜阵列制作技术
- 2012年
- 介绍了一种利用光刻、等离子体刻蚀和高温热熔等工艺在PMMA材料上制作折射微透镜的新方法,该方法具有刻蚀工艺容差大、热熔后球冠形貌好、易于和CCD实现工艺集成等优点。经过对各个工艺参数的优化实验,制备出了具有良好球冠形貌的微透镜阵列,并成功与256×256内线转移CCD完成了工艺集成,集成后微透镜阵列的整体形貌和尺寸与设计值相吻合。
- 向鹏飞李贝袁安波
- 关键词：微透镜光刻刻蚀热熔
- CCD新型遮光层工艺技术研究被引量：1
- 2016年
- 针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料。研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响。通过优化工艺参数,获得了适合于刻蚀氮化钛遮光层的工艺条件。
- 向鹏飞姜华男曲鹏程杨修伟
- 关键词：氮化钛刻蚀选择比
- 反应离子刻蚀氮化硅过程的损伤研究
- 2010年
- 针对反应离子刻蚀氮化硅过程中无图形60nm栅氧的等离子体损伤问题进行了研究。采用接触电势差技术研究了反应刻蚀中电荷在硅片表面上的沉积,利用非接触式CV测试技术研究了Si/SiO2界面态的变化。研究表明,电荷沉积与Si/SiO2界面态密度增加有较好的对应关系,电荷沉积较多的区域具有更高的界面态密度。然而,电荷沉积量与界面态密度不成正比例。
- 廖乃镘罗春林龙飞向鹏飞阙蔺兰李仁豪
- 关键词：反应离子刻蚀
- CCD多晶硅刻蚀技术研究被引量：1
- 2010年
- CCD晶硅刻蚀相比于传统CMOS工艺的多晶硅刻蚀需要多晶硅对氮化硅更高的刻蚀选择比,更长的过刻蚀时间。采用Cl2+He,Cl2+He+O2,Cl2+He+O2+HBr三种工艺气体组分在Lam4420机台进行了多晶硅刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于CCD多层多晶硅刻蚀的工艺条件。
- 向鹏飞袁安波杨修伟高建威
- 关键词：多晶硅刻蚀选择比CCD
