邓涛
- 作品数：5 被引量：14H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- CCD热工艺过程的硅片翘曲优化研究
- 2012年
- 针对光刻线宽均匀性控制问题,研究了硅片翘曲度对光刻线宽均匀性的影响。采用翘曲度测试仪研究热工艺过程中硅片翘曲度的变化。研究结果表明,硅片翘曲度对线宽均匀性产生重要的影响,翘曲度大,则线宽均匀性降低。通过优化栅氧化工艺的升降温速率、进出炉速率,使硅片翘曲度降低,线宽非均匀性由±4%降低到±2%。
- 吴可邓涛雷仁方向鹏飞
- 关键词：CCD翘曲度
- 刻蚀小尺寸CCD接触孔工艺研究被引量：1
- 2014年
- 采用CF4,CHF3,Ar三种工艺气体进行小尺寸CCD接触孔刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽控制、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于刻蚀CCD小孔的工艺条件。
- 向鹏飞邓涛杨修伟高建威
- 关键词：二氧化硅刻蚀选择比CCD
- CCD用透明栅电极的制作被引量：1
- 2010年
- 采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加。
- 李华高赵梁博邓涛曾武贤向华兵熊玲
- 关键词：ITO薄膜CCD
- 光刻工艺中缺陷来源的分析被引量：12
- 2005年
- 针对半导体集成电路和器件的制作过程中,在光刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的集中性分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施。
- 邓涛李平邓光华
- 关键词：光刻
- CCD曝光工艺常见缺陷及解决办法
- 2014年
- CCD器件曝光过程中会产生各种缺陷,由此会对线宽和图形产生不良影响。文中针对这些缺陷分析了成因并找到相应的解决办法,形成严谨的工艺规范以达到消除缺陷的目的,同时使得工艺能力和成品率得到了显著提升。
- 高建威向鹏飞邓涛杨修伟袁安波
- 关键词：CCD
