李平
- 作品数：11 被引量：23H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X射线线阵CCD被引量：5
- 2002年
- 通过在CCD表面涂敷荧光物质Gd2 O2 S ,采用荧光转换原理 ,成功实现了对X射线的探测。介绍了 10 2 4位线阵X射线CCD的结构及工作原理 ,给出了实验结果。器件的动态范围大于 30 0 0∶1。
- 李平汪朝敏张坤
- 关键词：X射线CCD
- 光刻工艺中缺陷来源的分析被引量：12
- 2005年
- 针对半导体集成电路和器件的制作过程中,在光刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行了基本的集中性分析,提出了一些减少或消除这些缺陷的办法和措施。
- 邓涛李平邓光华
- 关键词：光刻
- 756×581元CCD摄像器件被引量：2
- 1994年
- 成功地研制了７５６（Ｈ）×５８１（Ｖ）元内线转移ＣＣＤ摄像器件。该器件采用三相结构，埋沟和四层多晶硅技术。文章详细介绍了该器件的工作原理、设计考虑和制作技术。
- 刘俊刚李平
- 关键词：CCD摄像器件
- 黑硅微结构光敏二极管被引量：3
- 2015年
- 与平面硅相比,黑硅对0.25～2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率提高了65%。
- 王文革李华高龙飞李睿智李平张昌丽李益
- 关键词：光敏二极管量子效率
- 1024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
- 介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30 μm×30μm。器件采用品字形排列,占空比为100%。1024位探测器存储的电...
- 熊平唐遵烈邓光华李平易平
- 关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD
- 文献传递
- CCD多晶硅栅条刻蚀的质量控制
- 2002年
- 依据等离子刻蚀机设备在CCD研制中所起的关键作用 ,对提高刻蚀多晶硅电极的质量作了一些探讨 。
- 李平张坤汪朝敏
- 关键词：CCD均匀性
- 消除CCD不良背景的工艺研究被引量：1
- 2008年
- 对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
- 李平郑杏平李仁豪雷仁方许宏韩恒利陈捷张故万汪琳
- 关键词：电荷耦合器件栅介质本征吸杂低温退火
- 1024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
- 2005年
- 介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30um×30μm。器件采用品字形排列，占空比为100％。1024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出。器件在80K温度下工作。在积分时间为4毫秒及镜头为F／1条件下，器件噪声等效温差为0．1K。用1000K黑体测得探测率D^*为9．8×10^*cm·Hz^1/2。·W^-1。器件响应不均匀性为4．8％。介绍器件设计及性能测试结果。
- 熊平唐遵烈邓光华李平易平
- 关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD
- EB-CCD减薄工艺的讨论
- 1990年
- 本文简述了120×150位 EB-CCD 器件减薄工艺,对工艺中碰到的一些问题作了初步的分析,提出了一些解决办法,为我们今后制作更大面积的背照 CCD积累了经验。
- 李平
- 关键词：减薄
- 600×500元帧转移CCD摄像器件被引量：2
- 1994年
- 采用三相帧转移结构研制了６００（Ｖ）×５００（Ｈ）元ＣＣＤ摄像器件。像元尺寸为２４μｍ×２４μｍ。制作该器件采用了三层多晶硅交迭栅和一层铝布线技术，同时采用了ｎ型埋沟技术。器件的转移效率为９９．９９５％，水平极限分辨率为３５０ＴＶ线，动态范围是５２ｄＢ。器件以标准帧速工作，时钟频率１０ＭＨｚ。文章介绍了该器件的设计和研制。
- 刘俊刚赵文伯李平
- 关键词：CCD帧转移摄像机
- 全文增补中
