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易平

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇势垒
  • 3篇线列
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基势垒
  • 3篇红外
  • 3篇红外CCD
  • 3篇PTSI
  • 3篇CCD
  • 1篇电荷耦合
  • 1篇电荷耦合器
  • 1篇电荷耦合器件

机构

  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇熊平
  • 3篇易平
  • 3篇李平
  • 3篇邓光华
  • 3篇唐遵烈

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
1024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
2005年
介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则，两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30um×30μm。器件采用品字形排列，占空比为100％。1024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出。器件在80K温度下工作。在积分时间为4毫秒及镜头为F／1条件下，器件噪声等效温差为0．1K。用1000K黑体测得探测率D^*为9．8×10^*cm·Hz^1/2。·W^-1。器件响应不均匀性为4．8％。介绍器件设计及性能测试结果。
熊平唐遵烈邓光华李平易平
关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD
1024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2微米设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为30 μm×30μm。器件采用品字形排列,占空比为100%。1024位探测器存储的电...
熊平唐遵烈邓光华李平易平
关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD
文献传递
1 024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD
本文介绍了我们研制的1024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD).器件采用最小2微米设计规则,两层多晶硅结构.器件的像元尺寸为30μm×30μm.器件采用品字形排列,占空比为100％.1024位探测器存储的...
熊平唐遵烈邓光华李平易平
关键词：PTSI线列肖特基势垒CCD电荷耦合器件
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