高建威
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 刻蚀小尺寸CCD接触孔工艺研究被引量：1
- 2014年
- 采用CF4,CHF3,Ar三种工艺气体进行小尺寸CCD接触孔刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽控制、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于刻蚀CCD小孔的工艺条件。
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- 关键词：二氧化硅刻蚀选择比CCD
- 关于CCD铝布线光刻工艺质量的优化研究
- 2017年
- 针对CCD器件制作过程中铝布线的光刻工艺质量较差问题,阐述了其产生的原因和对后续刻蚀工艺造成的影响及对器件性能造成的不良结果。文中从改进光刻工艺参数的角度入手进行试验查找相应的解决办法,通过为高台阶层次添加焦距补偿的方法提高铝布线的光刻工艺质量。通过器件性能测试验证了其可行性,在之后制定了工艺规范,使器件整体的工艺能力和成品率得到显著提升。
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- 关键词：CCD光刻
- CCD表面暗电流特性研究被引量：4
- 2014年
- 针对电荷耦合器件表面暗电流的温度特性和辐照特性进行了研究。研究结果表明,在不同温度下,表面暗电流不仅是CCD总暗电流的主要来源,且是CCD暗电流非均匀性的主要影响因素;CCD栅介质的硅-二氧化硅界面态密度随辐照剂量的增加而增加,导致CCD表面暗电流显著增加,是CCD经辐照后暗电流变大的主要影响因素。
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- 关键词：界面态密度温度辐照
- 大阵列CCD光刻图形拼接技术研究被引量：3
- 2015年
- 针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求,提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法。图形拼接处进行相反的补偿设计0.3μm"凹陷",曝光时拼接交叠0.3μm。光刻后,图形拼接处平滑、自然过渡,图形整体上拼接自然,较好地解决了光刻大面积图形曝光存在的固有图形缺陷问题,改善了光刻曝光图形的质量。
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- 关键词：CCD光刻
- CCD曝光工艺常见缺陷及解决办法
- 2014年
- CCD器件曝光过程中会产生各种缺陷,由此会对线宽和图形产生不良影响。文中针对这些缺陷分析了成因并找到相应的解决办法,形成严谨的工艺规范以达到消除缺陷的目的,同时使得工艺能力和成品率得到了显著提升。
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- 关键词：CCD
- CCD多晶硅刻蚀技术研究被引量：1
- 2010年
- CCD晶硅刻蚀相比于传统CMOS工艺的多晶硅刻蚀需要多晶硅对氮化硅更高的刻蚀选择比,更长的过刻蚀时间。采用Cl2+He,Cl2+He+O2,Cl2+He+O2+HBr三种工艺气体组分在Lam4420机台进行了多晶硅刻蚀实验,研究了不同气体配比、不同射频功率对刻蚀速率、选择比、条宽、侧壁形貌等参数的影响。通过优化工艺参数,比较刻蚀结果,最终获得了适合于CCD多层多晶硅刻蚀的工艺条件。
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- 关键词：多晶硅刻蚀选择比CCD
