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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇探测器
  • 1篇硅基
  • 1篇暗电流
  • 1篇
  • 1篇BCCD
  • 1篇波导
  • 1篇波导型
  • 1篇穿刺

机构

  • 2篇重庆光电技术...

作者

  • 2篇柳益
  • 1篇苏玉棉
  • 1篇韩恒利
  • 1篇汪凌
  • 1篇任利平
  • 1篇岳志强
  • 1篇廖晓航

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
BCCD沟道电势直流测试方法研究
2011年
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道电势测试,确定BCCD随栅压变化的沟道电势曲线。实验结果表明,选取宽长比为11/5的NMOS管、源电流为0.01μA的测试条件,能够很好地模拟BCCD的工作状态。通过对1 024×1 024可见光BCCD进行验证测试,证实该方法可靠。
汪凌韩恒利任利平廖晓航柳益苏玉棉岳志强
关键词:BCCD
硅基锗探测器低暗电流技术研究
2023年
本文针对波导型硅基锗探测器制造工艺中引入的锗表面损伤与铝穿刺对锗探测器暗电流的影响进行了研究。我们发现,锗表面损伤和铝穿刺会对探测器暗电流产生直接影响并导致其增加。为此,本文采用湿法腐蚀工艺去除锗表面损伤层,同时使用低温淀积钝化层、以及电极金属增加TIN阻挡层的工艺,有效降低了锗探测器的暗电流,同时保持了其良好的欧姆接触特性。
刘恋刘钟远郭安然龙梅柳益
关键词:暗电流
共1页<1>
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