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文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇CCD
  • 2篇放大器
  • 1篇载流子
  • 1篇态密度
  • 1篇特征尺寸
  • 1篇退火
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇铟柱
  • 1篇斜坡
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子效率
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇介质
  • 1篇减薄
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶
  • 1篇复合介质
  • 1篇BCCD

机构

  • 6篇重庆光电技术...

作者

  • 6篇汪凌
  • 3篇唐利
  • 2篇韩恒利
  • 2篇任利平
  • 2篇廖晓航
  • 1篇钟四成
  • 1篇邓艳红
  • 1篇刘方
  • 1篇廖乃镘
  • 1篇陈于伟
  • 1篇苏玉棉
  • 1篇伍明娟
  • 1篇吴可
  • 1篇袁安波
  • 1篇柳益
  • 1篇张故万
  • 1篇岳志强
  • 1篇李贝
  • 1篇吕玉冰

传媒

  • 5篇半导体光电
  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 1篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响被引量:1
2008年
分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响。该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考。
刘方汪凌袁安波唐利李贝
关键词:离子注入特征尺寸
CCD栅复合介质厚度对界面态的影响被引量:1
2008年
采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-SiO2界面态密度满足设计制作要求。
张故万汪凌吴可伍明娟
关键词:复合介质界面态密度退火
CCD片上放大器直流输出电压影响因素分析
2013年
对电荷耦合器件(CCD)片上放大器直流输出电压的主要影响因素进行了研究,通过对不同源漏工艺、不同栅下注入剂量工艺条件对直流输出的影响分析,指出有效沟道长度和放大管栅下注入是CCD片上放大器直流输出电压的主要影响因素。
韩恒利汪凌唐利吕玉冰廖乃镘
关键词:CCD
CCD减薄技术研究被引量:1
2006年
正面照射的CCD在蓝光、紫外光区和在微光条件下的响应率低,从而作为主探测器在天文观测和空间导航等领域中的应用受到限制。通过减薄CCD采用背面照射,能大幅度提高其量子效率。研究了一种新的化学/机械减薄技术,采用这种技术可使减薄后CCD器件厚度小于20μm,其量子效率由正面入射时的40%左右提高到背面入射时的80%左右。
钟四成邓艳红陈于伟汪凌
关键词:减薄量子效率
BCCD沟道电势直流测试方法研究
2011年
提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道电势测试,确定BCCD随栅压变化的沟道电势曲线。实验结果表明,选取宽长比为11/5的NMOS管、源电流为0.01μA的测试条件,能够很好地模拟BCCD的工作状态。通过对1 024×1 024可见光BCCD进行验证测试,证实该方法可靠。
汪凌韩恒利任利平廖晓航柳益苏玉棉岳志强
关键词:BCCD
热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响被引量:1
2014年
针对CCD片上放大器的寿命进行了研究。通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命。研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制作LDD结构可提高CCD片上放大器寿命。
汪凌唐利廖晓航任利平
关键词:CCD放大器热载流子效应
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