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唐利

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇放大器
  • 2篇CCD
  • 1篇载流子
  • 1篇特征尺寸
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇斜坡
  • 1篇离子注入
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶

机构

  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇汪凌
  • 3篇唐利
  • 1篇刘方
  • 1篇廖乃镘
  • 1篇韩恒利
  • 1篇袁安波
  • 1篇任利平
  • 1篇廖晓航
  • 1篇李贝
  • 1篇吕玉冰

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
CCD片上放大器直流输出电压影响因素分析
2013年
对电荷耦合器件(CCD)片上放大器直流输出电压的主要影响因素进行了研究,通过对不同源漏工艺、不同栅下注入剂量工艺条件对直流输出的影响分析,指出有效沟道长度和放大管栅下注入是CCD片上放大器直流输出电压的主要影响因素。
韩恒利汪凌唐利吕玉冰廖乃镘
关键词：CCD
光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响被引量：1
2008年
分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响。该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考。
刘方汪凌袁安波唐利李贝
关键词：离子注入特征尺寸
热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响被引量：1
2014年
针对CCD片上放大器的寿命进行了研究。通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命。研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制作LDD结构可提高CCD片上放大器寿命。
汪凌唐利廖晓航任利平
关键词：CCD放大器热载流子效应
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