李贝
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
- 2015年
- 采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。
- 廖乃镘赵志国阙蔺兰向华兵李贝李仁豪
- 关键词：氮化硅低压化学气相淀积表面光电压
- 一种新的微透镜阵列制作技术
- 2012年
- 介绍了一种利用光刻、等离子体刻蚀和高温热熔等工艺在PMMA材料上制作折射微透镜的新方法,该方法具有刻蚀工艺容差大、热熔后球冠形貌好、易于和CCD实现工艺集成等优点。经过对各个工艺参数的优化实验,制备出了具有良好球冠形貌的微透镜阵列,并成功与256×256内线转移CCD完成了工艺集成,集成后微透镜阵列的整体形貌和尺寸与设计值相吻合。
- 向鹏飞李贝袁安波
- 关键词：微透镜光刻刻蚀热熔
- 光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响被引量：1
- 2008年
- 分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响。该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考。
- 刘方汪凌袁安波唐利李贝
- 关键词：离子注入特征尺寸
- 减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究被引量：3
- 2011年
- 为了研制出高性能电荷耦合器件(CCD),减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压(SPV)法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM(H2SO4/H2O2)→SC-1清洗,去除Fe离子污染的效果比较差;用SPM→SC-1→SC-2清洗,去除Fe离子杂质的效果较好,Fe离子污染减少了2个数量级。增加SC-1和SC-2清洗次数可以减少Fe离子沾污,但效果不明显。当化学试剂中金属杂质含量由1×10-8 cm-3减少到1×10-9 cm-3,清洗工艺Fe离子沾污减少到8.0×1010 cm-3。
- 廖乃镘龙飞罗春林雷仁方李贝李仁豪
- 关键词：硅片清洗电荷耦合器件表面光电压
- 表面光电压法研究氧化工艺铁离子沾污
- 2013年
- 表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过对氧气、氮气进行进一步纯化处理、减少三氯乙烯杂质质量分数到1.0×10-8、更换传输气体的不锈钢管路等措施,将氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。
- 廖乃镘林海青向华兵李贝李仁豪
- 关键词：电荷耦合器件表面光电压
