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姜华男

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇CCD
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇选择比
  • 1篇小尺寸
  • 1篇量子效率
  • 1篇接触孔
  • 1篇金属化
  • 1篇刻蚀
  • 1篇光层
  • 1篇铝
  • 1篇穿刺

机构

  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇姜华男
  • 2篇熊玲
  • 1篇陈捷
  • 1篇韩恒利
  • 1篇曲鹏程
  • 1篇伍明娟
  • 1篇杨修伟
  • 1篇向鹏飞

传媒

  • 3篇半导体光电

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
CCD新型遮光层工艺技术研究被引量：1
2016年
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料。研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响。通过优化工艺参数,获得了适合于刻蚀氮化钛遮光层的工艺条件。
向鹏飞姜华男曲鹏程杨修伟
关键词：氮化钛刻蚀选择比
CCD小尺寸接触孔金属化的工艺优化被引量：2
2015年
对铝金属化工艺中存在的台阶覆盖率低和铝穿刺问题进行了讨论和分析,在此基础上对CCD铝金属化工艺进行了优化。采用冷铝+热铝两步淀积的方法,提高了铝膜对小尺寸接触孔的台阶覆盖率;采用TiN作为阻挡层抑制了铝穿刺。
钟奇志姜华男伍明娟熊玲朱梦楠
关键词：CCD
背照式CCD量子效率的工艺仿真研究
2016年
使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后,利用峰值位于表面且具有高杂质浓度梯度的背面掺杂和适当的单层增透膜,可获得峰值在90%以上的量子效率。
姜华男陈捷韩恒利熊玲
关键词：量子效率
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