熊玲
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CCD小尺寸接触孔金属化的工艺优化被引量：2
- 2015年
- 对铝金属化工艺中存在的台阶覆盖率低和铝穿刺问题进行了讨论和分析,在此基础上对CCD铝金属化工艺进行了优化。采用冷铝+热铝两步淀积的方法,提高了铝膜对小尺寸接触孔的台阶覆盖率;采用TiN作为阻挡层抑制了铝穿刺。
- 钟奇志姜华男伍明娟熊玲朱梦楠
- 关键词：CCD
- CCD用透明栅电极的制作被引量：1
- 2010年
- 采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加。
- 李华高赵梁博邓涛曾武贤向华兵熊玲
- 关键词：ITO薄膜CCD
- 硅片背面减薄技术研究被引量：8
- 2015年
- 硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度。结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016μm,翘曲度分别为147和109μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01μm,硅片翘曲度低于60μm。
- 江海波熊玲朱梦楠邓刚王小强
- 关键词：硅晶圆抛光湿法腐蚀
- 背照式CCD量子效率的工艺仿真研究
- 2016年
- 使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后,利用峰值位于表面且具有高杂质浓度梯度的背面掺杂和适当的单层增透膜,可获得峰值在90%以上的量子效率。
- 姜华男陈捷韩恒利熊玲
- 关键词：量子效率
