伍明娟
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- CCD小尺寸接触孔金属化的工艺优化被引量：2
- 2015年
- 对铝金属化工艺中存在的台阶覆盖率低和铝穿刺问题进行了讨论和分析,在此基础上对CCD铝金属化工艺进行了优化。采用冷铝+热铝两步淀积的方法,提高了铝膜对小尺寸接触孔的台阶覆盖率;采用TiN作为阻挡层抑制了铝穿刺。
- 钟奇志姜华男伍明娟熊玲朱梦楠
- 关键词：CCD
- CCD栅复合介质厚度对界面态的影响被引量：1
- 2008年
- 采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-SiO2界面态密度满足设计制作要求。
- 张故万汪凌吴可伍明娟
- 关键词：复合介质界面态密度退火
- 一种光电探测器模块失效的故障分析
- 2023年
- 阐述PIN光电探测器模块在温度循环试验后响应度降低问题。通过建立故障树分析其失效的原因,发现由于耦合用光纤夹具出现倾斜,使得耦合过程中焊料分布不均匀,在温度循环试验热胀冷缩过程中,产生的不对称挤压应力使光纤金属化导管(光纤)发生位移和偏转,致使光斑的一部分偏移出光敏面区域,光能量不能完全被吸收转换,导致PIN模块响应度降低。
- 钟玉杰向柄臣林珑君伍明娟鲁卿郭培曹飞
- 关键词：光电探测器响应度故障树
- CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响被引量：1
- 2017年
- CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响。研究结果表明:栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响。栅介质氮化硅淀积后进行氧化,随着氧化时间延长,靠近栅介质氮化硅区域的多晶硅层间介质层厚度增大。增加氮化硅氧化时间到320min,多晶硅层间薄弱区氧化层厚度增加到227nm。在前一次多晶硅氧化后淀积一层15nm厚氮化硅,能够很好地填充多晶硅层间介质空隙区,不会对CCD工作电压产生不利的影响。
- 钟四成廖乃镘罗春林阙蔺兰寇琳来伍明娟
- 关键词：栅介质多晶硅电荷耦合器件
- 黑硅微结构与光学特性研究
- 2017年
- 利用无掩模反应离子刻蚀法制备黑硅,研究了黑硅微结构密度和高度对其光学特性的影响。采用场发射扫描电子显微镜和带积分球的紫外-可见-近红外分光光度计分别表征黑硅微结构形貌和光学特性。研究结果表明,黑硅微结构密度增大和高度增加,则黑硅吸收率增大,高度较大的微结构更加有利于增强黑硅近红外光吸收。无掩模反应离子刻蚀法制备的黑硅的吸收率在高温退火过程中保持稳定。
- 廖乃镘刘晓琴杨修伟寇琳来罗春林向华兵伍明娟李仁豪
- 关键词：微结构光学性能
- 高速InGaAs光电探测器可靠性寿命评估
- 2020年
- 随着航天应用高速InGaAs探测器的迅速发展,其可靠性问题日益突出,本文选择温度应力与光应力为加速应力,通过爱林模型与恒定应力加速寿命试验方法对XX型高速InGaAs探测器进行了研究,获得了InGaAs探测器在4种组合应力下的退化数据与寿命模型,进而推算出器件在正常工作状态下的寿命.
- 吴琼瑶李晓潮伍明娟李钦刘吉
- 关键词：INGAAS
- 采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较被引量：1
- 2009年
- 采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备Si3N4薄膜的优缺点。
- 张故万宋爱民雷仁方高燕罗春林伍明娟
- 关键词：低压化学气相淀积硅烷二氯二氢硅
