张故万
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
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- CCD栅复合介质厚度对界面态的影响被引量：1
- 2008年
- 采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-SiO2界面态密度满足设计制作要求。
- 张故万汪凌吴可伍明娟
- 关键词：复合介质界面态密度退火
- 浮胶引起的缺陷对CCD成像的影响分析
- 2013年
- 针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源。在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题。最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法。
- 龙飞张故万吴可廖乃鏝李仁豪
- 关键词：CCD光刻
- 消除CCD不良背景的工艺研究被引量：1
- 2008年
- 对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
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- 关键词：电荷耦合器件栅介质本征吸杂低温退火
- 颗粒对CCD光刻图形完整性的影响分析被引量：2
- 2012年
- 分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶硅时,颗粒阻碍曝光和刻蚀,引起沟阻或多晶硅连条,使CCD的像元划分和信号电子的定向转移遭受破坏,降低器件成品率。
- 张故万袁安波雷仁方
- 关键词：CCD
- 采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较被引量：1
- 2009年
- 采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备Si3N4薄膜的优缺点。
- 张故万宋爱民雷仁方高燕罗春林伍明娟
- 关键词：低压化学气相淀积硅烷二氯二氢硅
- CCD芯片金属层脱落失效分析与改进措施
- 2021年
- 在CCD芯片制作中,出现金属层脱落的现象,通过分析金属层脱落的原因,开展工艺验证实验,采取相应改进措施,成功解决了金属层脱落的问题,使得金属层制备的工艺集成能力和芯片成品率得到了显著提升。
- 刘方孙晨张故万
- 关键词：集成电路制造CCD
