王小强
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅片背面减薄技术研究被引量：8
- 2015年
- 硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度。结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016μm,翘曲度分别为147和109μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01μm,硅片翘曲度低于60μm。
- 江海波熊玲朱梦楠邓刚王小强
- 关键词：硅晶圆抛光湿法腐蚀
- γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究被引量：3
- 2010年
- 通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产生的界面态俘获转移电荷所致;器件辐照后暗电流的增加将降低器件的有效信号输出幅度。
- 钟玉杰周玉红雷仁方汪朝敏李睿智王小强
- 关键词：CCD辐照界面态
- CCD含氯氧化工艺仿真校准研究
- 2012年
- 通过对含氯氧化在线实验结果和工艺仿真结果进行对比,并进行仿真工艺校准,发现采用氯含量相同的仿真校准结果较之等物质量仿真校准结果与实际工艺实验结果相吻合。对氯含量相同氧化校准模型进行了不同温度、不同氧化方式的验证,仿真结果与在线实验结果相吻合,并利用该模型对CCD工艺制作中含氯氧化进行了仿真,仿真结果与CCD工艺制作测试数据相一致。
- 钟玉杰王小强许青程顺昌李睿智
- 关键词：仿真校准电荷耦合器件
