江海波
- 作品数：4 被引量：9H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CCD多晶硅离子注入掺杂工艺研究
- 2016年
- 研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比研究,发现离子注入掺杂制作的多晶硅栅质量优于扩散掺杂制作的多晶硅栅,这有利于CCD输出均匀性的提高。对两种多晶硅掺杂方式的工艺集成条件进行对比,多晶硅掺杂采用离子注入方式其工艺步骤更简单,工艺集成度更高。
- 曾庆高钟玉杰江海波李睿智
- 关键词：CCD离子注入均匀性
- 基于湿法腐蚀工艺的高性能黑硅光电探测器被引量：1
- 2021年
- 采用基于硝酸/氢氟酸/磷酸/硫酸混合液的湿法腐蚀工艺,实现了高吸收效率的黑硅结构的制备与工艺集成,获得了具有近红外响应增强效果的黑硅PIN光电探测器,并与未集成黑硅的PIN光电探测器的性能参数进行了对比测试。测试结果显示,黑硅光电探测器在1 060nm波长下的响应度达到0.69A/W(量子效率80.7%),较未集成黑硅的器件提高了116%;黑硅探测器暗电流小于8nA,响应时间小于8ns,电容小于9pF,与未集成黑硅的器件相当。得益于工艺兼容性,所采用的黑硅技术具有广泛应用于硅基近红外PIN,APD,SPAD,SPM等光电探测器的潜力,可显著提高器件的响应率、量子效率、响应速度、击穿电压温度系数等性能。
- 黄建雷仁方江海波刘钟远李睿智朱继鑫
- 关键词：光电探测器湿法腐蚀
- 硅片背面减薄技术研究被引量：8
- 2015年
- 硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度。结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016μm,翘曲度分别为147和109μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01μm,硅片翘曲度低于60μm。
- 江海波熊玲朱梦楠邓刚王小强
- 关键词：硅晶圆抛光湿法腐蚀
- 大动态高灵敏1024×1024 EMCCD研制
- 2023年
- 随着硅材料质量的提升和半导体工艺技术的发展,低温制冷下电荷耦合器件(CCD)的暗电流已经可以忽略,此时放大器成了主要的噪声源,限制了对微弱信号的检测。采用电子倍增技术,通过对电荷包在进入输出节点前进行放大,可有效抑制放大器的噪声。然而,电荷包放大后容易饱和,会限制器件的动态范围。本研究采用浮置栅放大器对电荷包进行无损检测。根据检测结果,大的电荷包直接输出,小的电荷包通过电子倍增放大后再输出,获得高灵敏度的同时兼顾了大的动态范围。根据实际测试结构,在10^(-4)Lx光照下得到了良好的微光成像效果,同时动态范围可达15万倍。
- 汪朝敏尹俊江海波王廷栋刘昌林丁劲松
- 关键词：CCDEMCCD微光动态范围高灵敏
