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钟玉杰

作品数：12 被引量：7H指数：2
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇CCD
  • 3篇电荷耦合
  • 3篇电荷耦合器
  • 3篇电荷耦合器件
  • 3篇图像
  • 3篇图像传感器
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇探测器
  • 2篇响应度
  • 2篇界面态
  • 2篇均匀性
  • 2篇光电
  • 2篇辐照
  • 1篇电路
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...

机构

  • 12篇重庆光电技术...

作者

  • 12篇钟玉杰
  • 4篇李睿智
  • 3篇曾武贤
  • 3篇雷仁方
  • 2篇黄烈云
  • 2篇廖乃镘
  • 2篇郭培
  • 2篇林珑君
  • 2篇杨洪
  • 2篇王小强
  • 1篇白雪平
  • 1篇汪朝敏
  • 1篇许青
  • 1篇张勇
  • 1篇郑渝
  • 1篇曾庆高
  • 1篇张娜
  • 1篇程顺昌
  • 1篇曹飞
  • 1篇曲鹏程

传媒

  • 7篇半导体光电
  • 2篇集成电路应用
  • 1篇电子科技
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇红外技术

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2010
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型去除硼硅玻璃的方法
2014年
通过在硼扩散后增加一步800℃、5min的氧化工艺,使得硼扩散过程中产生的硼硅玻璃能够去除干净,在去除硼硅玻璃后的硅片上生长的氧化层厚度均匀、可控,有利于提高器件的光响应均匀性。
钟玉杰许宏黄烈云
关键词：硼硅玻璃探测器
激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究
2023年
激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm^(2)能量密度、50%~65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。
钟玉杰雷仁方林珑君李睿智张勇曲鹏程郭培廖乃镘
关键词：激光退火电荷耦合器件图像传感器
γ射线辐照对探测器的SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面和暗电流的影响
2022年
分析表明,利用γ射线对SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅进行辐照,通过C-V曲线测试发现,经过γ射线辐照,C-V曲线向负方向漂移,C-V曲线整体抬高,平带电压向负方向漂移,界面态增大。辐照后CCD器件的暗电流变大,通过γ射线辐照对CCD的Si-SiO_(2)界面产生损伤的机理分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起。辐照后CCD暗电流的变化和SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面的变化原因相同,SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合栅界面的变化导致了CCD暗电流发生了变化。
曾武贤钟玉杰
关键词：集成电路Γ射线CCD
CCD表面暗电流特性研究被引量：4
2014年
针对电荷耦合器件表面暗电流的温度特性和辐照特性进行了研究。研究结果表明,在不同温度下,表面暗电流不仅是CCD总暗电流的主要来源,且是CCD暗电流非均匀性的主要影响因素;CCD栅介质的硅-二氧化硅界面态密度随辐照剂量的增加而增加,导致CCD表面暗电流显著增加,是CCD经辐照后暗电流变大的主要影响因素。
雷仁方王艳高建威钟玉杰
关键词：界面态密度温度辐照
一种昼夜兼容成像EMCCD图像传感器
2023年
本文设计制作了一款阵列规模为1024×1024元、像元尺寸为10μm×10μm的昼夜兼容成像EMCCD(electron multiplying charge coupled device),该器件包含国内首次制作的浮置栅放大器,该放大器电荷转换因子(Charge to voltage factor,CVF)为3.57μV/e^(-),满阱55 ke^(-),能够非破坏性判断信号强度。该功能使得场景中微光照区域的像素可以选择性地路由至倍增通道输出,而强光照区域的像素会路由至非倍增通道输出,有了这种场景内可切换增益特性,两种输出的信号重新组合,实现高动态成像。同时为了实现器件在强光应用场合的抗光晕功能,器件像元区域采用了纵向抗晕设计,抗晕倍数为200倍,基于此类器件制作的相机能够恰当地在暗视场中呈现明亮的图像。
白雪平钟玉杰杨洪郑渝何达易学东黄芳
关键词：图像传感器
CCD多晶硅离子注入掺杂工艺研究
2016年
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比研究,发现离子注入掺杂制作的多晶硅栅质量优于扩散掺杂制作的多晶硅栅,这有利于CCD输出均匀性的提高。对两种多晶硅掺杂方式的工艺集成条件进行对比,多晶硅掺杂采用离子注入方式其工艺步骤更简单,工艺集成度更高。
曾庆高钟玉杰江海波李睿智
关键词：CCD离子注入均匀性
γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究被引量：3
2010年
通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产生的界面态俘获转移电荷所致;器件辐照后暗电流的增加将降低器件的有效信号输出幅度。
钟玉杰周玉红雷仁方汪朝敏李睿智王小强
关键词：CCD辐照界面态
一种光电探测器模块失效的故障分析
2023年
阐述PIN光电探测器模块在温度循环试验后响应度降低问题。通过建立故障树分析其失效的原因,发现由于耦合用光纤夹具出现倾斜,使得耦合过程中焊料分布不均匀,在温度循环试验热胀冷缩过程中,产生的不对称挤压应力使光纤金属化导管(光纤)发生位移和偏转,致使光斑的一部分偏移出光敏面区域,光能量不能完全被吸收转换,导致PIN模块响应度降低。
钟玉杰向柄臣林珑君伍明娟鲁卿郭培曹飞
关键词：光电探测器响应度故障树
高响应905nm硅雪崩光电二极管设计
2021年
阐述n+-p-π-p+外平面结构APD的工作原理和设计考虑,其感光面积为0.2~0.8mm。这些光电二极管被优化用于检测905nm辐射,并在该范围内实现了优异的参数-高增益、低噪声、高检测率。
曾武贤钟玉杰黄烈云
关键词：硅雪崩光电二极管响应度
长线阵CCD光敏区铝剥离技术
2010年
介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影响。通过优化工艺参数,实现了长线阵CCD光敏区的铝剥离,剥离后光敏区长度为8cm,宽度平均值为6.2μm,线宽均匀性为98.5%。
曾武贤张振宇廖乃镘钟玉杰袁安波
关键词：CCD显影均匀性
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