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孔忠弟

作品数：3 被引量：8H指数：2
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇抛光
  • 2篇晶片
  • 2篇晶片加工
  • 2篇INSB
  • 1篇英寸
  • 1篇探测器
  • 1篇锑化铟
  • 1篇翘曲度
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇化学抛光
  • 1篇甲醇
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇厚度
  • 1篇厚度偏差
  • 1篇SEM
  • 1篇溴
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇粗糙度

机构

  • 3篇华北光电技术...

作者

  • 3篇孔忠弟
  • 3篇赵超
  • 2篇王小龙
  • 2篇徐鹏艳
  • 1篇吴卿
  • 1篇王燕华
  • 1篇折伟林
  • 1篇程鹏

传媒

  • 2篇红外
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
4 in InSb晶片加工技术研究被引量：5
2019年
在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3~5μm波长范围的焦平面阵列探测器。对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,而该类探测器需要在更大尺寸、更高质量的晶片上制备。所以,对4 in InSb晶片加工技术进行了研究。通过优化研磨、抛光工艺参数,最终获得总厚度偏差小于等于10μm、翘曲度小于等于20μm、表面粗糙度小于1 nm、表面质量优的4 in InSb晶片,提高了加工效率,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。
赵超徐鹏艳孔忠弟彭志强王小龙庞新义
关键词：INSB翘曲度表面粗糙度抛光
InSb晶片化学抛光研究被引量：3
2009年
机械抛光会给InSb晶片表面造成一定程度的机械损伤,增加表面的粗糙度,从而影响器件的性能。化学抛光可以有效地去除表面划痕,改善晶片的表面形貌,降低粗糙度。用低浓度的溴-甲醇溶液对机械抛光后的InSb晶片进行了化学抛光,并对化学抛光前后的InSb晶片进行了表面形貌、总厚度偏差(TTV)、粗糙度、表面组分和杂质对比分析。实验结果表明,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,从而得到光滑、平坦的表面。晶片表面的粗糙度为6.443nm,TTV为3.4μm,In/Sb原子比接近1。与传统的腐蚀液CP4-A、CP4-B相比,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,可以获得更低的表面粗糙度和TTV,且In/Sb的原子比更接近于1。
程鹏王燕华赵超孔忠弟
关键词：INSBSEM化学抛光
5英寸锑化铟晶片加工及表征被引量：2
2022年
锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。
赵超孔忠弟董涛吴卿折伟林王小龙徐鹏艳李乾李达李聪聪
关键词：锑化铟晶片红外探测器
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