王燕华
- 作品数：3 被引量：11H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- InSb晶片化学抛光研究被引量：3
- 2009年
- 机械抛光会给InSb晶片表面造成一定程度的机械损伤,增加表面的粗糙度,从而影响器件的性能。化学抛光可以有效地去除表面划痕,改善晶片的表面形貌,降低粗糙度。用低浓度的溴-甲醇溶液对机械抛光后的InSb晶片进行了化学抛光,并对化学抛光前后的InSb晶片进行了表面形貌、总厚度偏差(TTV)、粗糙度、表面组分和杂质对比分析。实验结果表明,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,从而得到光滑、平坦的表面。晶片表面的粗糙度为6.443nm,TTV为3.4μm,In/Sb原子比接近1。与传统的腐蚀液CP4-A、CP4-B相比,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,可以获得更低的表面粗糙度和TTV,且In/Sb的原子比更接近于1。
- 程鹏王燕华赵超孔忠弟
- 关键词：INSBSEM化学抛光
- 大尺寸锑化铟晶体生长等径技术研究被引量：5
- 2011年
- 为了获得高质量的晶体,需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。阐述了采用提拉法生长晶体时的直径控制原理及方法,分析了影响等径控制的温度与时滞因素,并采用计算机辅助控制方法解决了大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。生长出的3in锑化铟晶体的生长条纹不明显,位错密度小于10个/cm^2。
- 王志芳王燕华
- 关键词：锑化铟晶体生长位错
- 大直径高质量锑化铟单晶的生长研究被引量：5
- 2009年
- 锑化铟单晶是制备3μm～5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯问题,以及单晶电性能参数控制、位错密度控制和直径控制问题,并采用Czochralski法成功地在国内首次生长出直径为3in的锑化铟单晶。其中,直径大于3in的单晶长度超过100mm,单晶的位错密度小于100cm^(-2)。试验结果表明:相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分布规律,我们得到的锑化铟单晶位错密度沿晶棒从头至尾递减,单晶尾部位错密度可小于50cm^(-2);同时单晶的电子迁移率、载流子浓度均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。
- 王燕华程鹏王志芳程波陈元瑞徐鹏艳
- 关键词：锑化铟大直径单晶位错密度
