陈元瑞
- 作品数：5 被引量：13H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InSb(111)A面腐蚀坑成因分析被引量：1
- 2014年
- 采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了InSb晶片(111)A面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑,并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐蚀坑形貌的演变。从理论上对腐蚀坑形貌的成因进行了分析,结果显示1类特征腐蚀坑的成因是由于晶片固有的位错缺陷,2类特征腐蚀坑可能是由于晶片表面存在一定深度的损伤层引起的。
- 吴卿巩锋陈元瑞侯晓敏崔健维
- 关键词：INSB腐蚀坑位错损伤层
- 大直径高质量锑化铟单晶的生长研究被引量：5
- 2009年
- 锑化铟单晶是制备3μm～5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯问题,以及单晶电性能参数控制、位错密度控制和直径控制问题,并采用Czochralski法成功地在国内首次生长出直径为3in的锑化铟单晶。其中,直径大于3in的单晶长度超过100mm,单晶的位错密度小于100cm^(-2)。试验结果表明:相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分布规律,我们得到的锑化铟单晶位错密度沿晶棒从头至尾递减,单晶尾部位错密度可小于50cm^(-2);同时单晶的电子迁移率、载流子浓度均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。
- 王燕华程鹏王志芳程波陈元瑞徐鹏艳
- 关键词：锑化铟大直径单晶位错密度
- InSb晶体生长固液界面控制技术研究
- 2020年
- 在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少。对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和坩埚转速对固液界面形状的影响进行了模拟分析以及实际的晶体生长实验。结果表明,这三个生长参数对固液界面形状的平稳控制具有一定的效果。获得了平稳固液界面控制方法,为后续生长更低位错密度、更均匀径向电学参数分布的InSb材料打下了基础。
- 赵超徐兵董涛刘江高程波陈元瑞彭志强贺利军李振兴
- 关键词：INSB
- 100mm直径低位错密度InSb单晶生长研究被引量：5
- 2018年
- InSb是一种重要的中波红外探测器材料。为了满足更大规模、更高质量红外焦平面探测器的发展要求,对100mm直径低位错密度InSb单晶的生长进行了研究。通过改良生长方法、优化籽晶、改进缩颈工艺、优化热场,最终获得位错密度小于等于100cm-2、直径大于等于100mm的大尺寸低位错密度InSb晶体。晶体沿晶棒从头到尾部的位错密度分布均匀,可用率高,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。
- 赵超彭志强柏伟程波陈元瑞贺利军
- 关键词：INSBMMCZOCHRALSKI缩颈籽晶
- InSb晶片材料性能表征与机理分析被引量：6
- 2013年
- 对2 in InSb(111)晶片材料位错密度、X光形貌、X射线双晶衍射半峰宽和电学参数进行了整片均匀性测试表征。结果表明材料整体性能极佳,并结合InSb晶体生长原理对晶片材料位错密度、掺杂浓度区域性分布进行了深层机理分析。
- 巩锋程鹏吴卿折伟林陈元瑞
- 关键词：性能表征
