程鹏
- 作品数：7 被引量：26H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 大直径高质量锑化铟单晶的生长研究被引量：5
- 2009年
- 锑化铟单晶是制备3μm～5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯问题,以及单晶电性能参数控制、位错密度控制和直径控制问题,并采用Czochralski法成功地在国内首次生长出直径为3in的锑化铟单晶。其中,直径大于3in的单晶长度超过100mm,单晶的位错密度小于100cm^(-2)。试验结果表明:相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分布规律,我们得到的锑化铟单晶位错密度沿晶棒从头至尾递减,单晶尾部位错密度可小于50cm^(-2);同时单晶的电子迁移率、载流子浓度均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。
- 王燕华程鹏王志芳程波陈元瑞徐鹏艳
- 关键词：锑化铟大直径单晶位错密度
- InSb晶片清洗研究被引量：1
- 2012年
- 随着红外探测器件制备工艺的不断发展,人们对InSb晶片表面质量的要求也越来越高,但是晶片在生产过程中不可避免地会引进各种杂质。研究了一种利用兆声超声并结合药液去离子水清洗InSb晶片的方法,并对清洗后的InSb晶片进行了表面颗粒度、表面有机物和表面粗糙度等方面的测量。实验结果表明,该方法能够有效去除InSb晶片表面的颗粒、有机物和金属离子杂质,但是也会略微增大晶片表面的粗糙度。
- 赵超于增辉程鹏
- 关键词：INSB表面粗糙度
- 3in锑化铟晶片研磨工艺研究被引量：3
- 2013年
- 随着现代光电器件工艺的不断改进以及焦平面器件像元数的不断增加,大尺寸晶片越来越受到工艺人员的重视,晶片研磨过程中的表面平整度或总厚度偏差(TotalThickness Variation,TTV)数值有所增加。为了满足工艺人员对大尺寸晶片的要求,降低了研磨工艺中晶片的TTV值。在对不同研磨条件下所得到的晶片的TTV进行研究后,制定了合理的研磨工序。
- 于增辉赵超王志芳程鹏
- 关键词：研磨TTV
- InSb晶片化学抛光研究被引量：3
- 2009年
- 机械抛光会给InSb晶片表面造成一定程度的机械损伤,增加表面的粗糙度,从而影响器件的性能。化学抛光可以有效地去除表面划痕,改善晶片的表面形貌,降低粗糙度。用低浓度的溴-甲醇溶液对机械抛光后的InSb晶片进行了化学抛光,并对化学抛光前后的InSb晶片进行了表面形貌、总厚度偏差(TTV)、粗糙度、表面组分和杂质对比分析。实验结果表明,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,从而得到光滑、平坦的表面。晶片表面的粗糙度为6.443nm,TTV为3.4μm,In/Sb原子比接近1。与传统的腐蚀液CP4-A、CP4-B相比,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,可以获得更低的表面粗糙度和TTV,且In/Sb的原子比更接近于1。
- 程鹏王燕华赵超孔忠弟
- 关键词：INSBSEM化学抛光
- InSb分子束外延原位掺杂技术研究被引量：2
- 2015年
- 对InSb分子束外延薄膜的本征掺杂、N型掺杂以及P型掺杂进行了研究,其中分别以Be作P型以及以Si、Te作N型的掺杂剂。实验采用半绝缘的GaAs衬底作为InSb分子束外延用衬底,通过采用低温生长缓冲层技术降低大失配应力,获得高质量InSb外延膜。实验样品采用霍尔测试以及SIMS测试掺杂浓度和迁移率分析掺杂规律、掺杂元素偏聚和激活规律的影响因素。
- 刘铭邢伟荣尚林涛周朋程鹏
- 关键词：分子束外延N型掺杂P型掺杂
- InSb薄膜分子束外延技术研究被引量：9
- 2013年
- InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。
- 刘铭程鹏肖钰折伟林尚林涛巩锋周立庆
- 关键词：分子束外延晶体质量
- InSb晶片材料性能表征与机理分析被引量：6
- 2013年
- 对2 in InSb(111)晶片材料位错密度、X光形貌、X射线双晶衍射半峰宽和电学参数进行了整片均匀性测试表征。结果表明材料整体性能极佳,并结合InSb晶体生长原理对晶片材料位错密度、掺杂浓度区域性分布进行了深层机理分析。
- 巩锋程鹏吴卿折伟林陈元瑞
- 关键词：性能表征
