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赵超

作品数：18 被引量：32H指数：5
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇INSB
  • 7篇锑化铟
  • 4篇探测器
  • 4篇晶片
  • 3篇抛光
  • 3篇晶体
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 2篇研磨
  • 2篇英寸
  • 2篇直径
  • 2篇位错
  • 2篇面粗糙度
  • 2篇晶片加工
  • 2篇晶体生长
  • 2篇表面粗糙度
  • 2篇粗糙度
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长

机构

  • 18篇华北光电技术...
  • 1篇空军驻华北地...

作者

  • 18篇赵超
  • 7篇柏伟
  • 4篇折伟林
  • 3篇孔忠弟
  • 3篇程鹏
  • 2篇周立庆
  • 2篇王小龙
  • 2篇程波
  • 2篇王文燕
  • 2篇于增辉
  • 2篇陈元瑞
  • 2篇刘铭
  • 2篇徐鹏艳
  • 1篇王志芳
  • 1篇吴玮
  • 1篇段建春
  • 1篇吴卿
  • 1篇王丛
  • 1篇赵秀峰
  • 1篇王燕华

传媒

  • 15篇红外
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InSb晶片化学抛光研究被引量：3
2009年
机械抛光会给InSb晶片表面造成一定程度的机械损伤,增加表面的粗糙度,从而影响器件的性能。化学抛光可以有效地去除表面划痕,改善晶片的表面形貌,降低粗糙度。用低浓度的溴-甲醇溶液对机械抛光后的InSb晶片进行了化学抛光,并对化学抛光前后的InSb晶片进行了表面形貌、总厚度偏差(TTV)、粗糙度、表面组分和杂质对比分析。实验结果表明,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,从而得到光滑、平坦的表面。晶片表面的粗糙度为6.443nm,TTV为3.4μm,In/Sb原子比接近1。与传统的腐蚀液CP4-A、CP4-B相比,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,可以获得更低的表面粗糙度和TTV,且In/Sb的原子比更接近于1。
程鹏王燕华赵超孔忠弟
关键词：INSBSEM化学抛光
InSb晶体生长固液界面控制技术研究
2020年
在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少。对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和坩埚转速对固液界面形状的影响进行了模拟分析以及实际的晶体生长实验。结果表明,这三个生长参数对固液界面形状的平稳控制具有一定的效果。获得了平稳固液界面控制方法,为后续生长更低位错密度、更均匀径向电学参数分布的InSb材料打下了基础。
赵超徐兵董涛刘江高程波陈元瑞彭志强贺利军李振兴
关键词：INSB
基于高温热处理的InSb晶片性能研究被引量：1
2021年
近年来,为了满足新一代百万像元、高集成度、高性能红外焦平面探测器的发展需求,人们对高晶格质量、高表面状态InSb晶片的要求越来越高。为了提高用生长态晶体加工的InSb晶片的性能,对晶片高温热处理进行了研究。通过采用特殊设计的晶片承载装置并结合相应的晶片热处理配合方法,优化了晶体生长态遗传的固有缺陷以及由晶片加工过程引入的加工缺陷;改善了InSb晶片的化学计量比,释放了晶片内部的残余应力;提高了晶格质量,优化了晶片整片的平面度,最终提高了InSb晶片的整体质量,为制备高性能大规格红外焦平面探测器奠定了材料基础。
柏伟张立超徐强强赵超刘铭
关键词：应力平面度
4 in InSb晶片加工技术研究被引量：5
2019年
在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3~5μm波长范围的焦平面阵列探测器。对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,而该类探测器需要在更大尺寸、更高质量的晶片上制备。所以,对4 in InSb晶片加工技术进行了研究。通过优化研磨、抛光工艺参数,最终获得总厚度偏差小于等于10μm、翘曲度小于等于20μm、表面粗糙度小于1 nm、表面质量优的4 in InSb晶片,提高了加工效率,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。
赵超徐鹏艳孔忠弟彭志强王小龙庞新义
关键词：INSB翘曲度表面粗糙度抛光
高质量5 in InSb单晶生长被引量：1
2023年
锑化铟(InSb)焦平面探测器是中波红外探测领域应用广泛的一种探测器。作为制备探测器的基础,InSb晶体材料的质量和性能显得尤为重要。近年来InSb晶体材料在向高质量大尺寸方向发展。通过多举措坩埚设计和温场条件设计,采用直拉法生长了直径大于135 mm的InSb单晶。测试结果表明,5 in晶片的位错腐蚀坑密度小于50 cm-2,双晶衍射峰的半峰宽为8.32 arcsec,晶体具有相当好的完整性。通过优化生长工艺参数,晶体生长过程中具有较为平坦的固液界面,表现出良好的径向电学均匀性。这为制备低成本和超大规模InSb红外探测器阵列奠定了基础。
董涛赵超彭志强折伟林贺利军李振兴
关键词：锑化铟单晶位错密度
5英寸锑化铟晶片加工及表征被引量：2
2022年
锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。
赵超孔忠弟董涛吴卿折伟林王小龙徐鹏艳李乾李达李聪聪
关键词：锑化铟晶片红外探测器
线切割InSb晶片表面损伤研究
2017年
利用扫描电子显微镜(Scannirng Electron Microscopy,SEM)、台阶仪和X射线衍射仪(X-ray Diffraction,XRD)研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度,定量分析了损伤层的厚度,并探讨了影响InSb切割晶片表面损伤的因素。结果表明,线切割InSb晶片的表面较平整,粗糙度小,表面损伤小,损伤层的厚度约为14μm,小于常规内圆切割晶片。研究结果对大尺寸、大批量InSb晶片的生产及后续加工具有一定的参考价值。
柏伟赵超
关键词：INSB线切割
InSb晶片清洗研究被引量：1
2012年
随着红外探测器件制备工艺的不断发展,人们对InSb晶片表面质量的要求也越来越高,但是晶片在生产过程中不可避免地会引进各种杂质。研究了一种利用兆声超声并结合药液去离子水清洗InSb晶片的方法,并对清洗后的InSb晶片进行了表面颗粒度、表面有机物和表面粗糙度等方面的测量。实验结果表明,该方法能够有效去除InSb晶片表面的颗粒、有机物和金属离子杂质,但是也会略微增大晶片表面的粗糙度。
赵超于增辉程鹏
关键词：INSB表面粗糙度
抑制In元素在CdTe中的退火扩散
2020年
分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控扩散。我们使用CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制In的扩散。为研究In元素在CdTe材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用SiO2作为钝化层,通过对比试验发现In元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制In元素的扩散提供新的思路。
王丛王文燕周朋赵超段建春周立庆
关键词：INSBCDTE钝化层
InSb晶片的机械加工损伤层研究被引量：5
2017年
结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探讨了损伤层结构及引入因素。研究结果表明,切割加工是引入InSb晶片表面损伤层的主要工序,其表面损伤层的深度达到16μm左右;双面研磨的InSb晶片表面的损伤层深度约为12μm;经机械化学抛光加工后的InSb晶片表面的损伤层深度明显减小,约为2μm。
柏伟赵超龚志红
关键词：INSB研磨抛光损伤层
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