您的位置： 专家智库 > >

柏伟

作品数：13 被引量：29H指数：4
供职机构：华北光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 5篇锑化铟
  • 5篇INSB
  • 4篇晶体
  • 3篇探测器
  • 3篇红外
  • 2篇应力
  • 2篇直径
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇X
  • 1篇电学参数
  • 1篇性能研究
  • 1篇研磨
  • 1篇氧化层
  • 1篇英寸
  • 1篇损伤层
  • 1篇缩颈
  • 1篇体缺陷
  • 1篇抛光

机构

  • 13篇华北光电技术...
  • 1篇空军驻华北地...

作者

  • 13篇柏伟
  • 7篇赵超
  • 3篇折伟林
  • 2篇王丛
  • 2篇刘铭
  • 2篇杨海燕
  • 2篇高达
  • 1篇王鑫
  • 1篇邢伟荣
  • 1篇侯晓敏
  • 1篇程波
  • 1篇赵秀峰
  • 1篇陈元瑞
  • 1篇田震
  • 1篇龚志红
  • 1篇徐强强

传媒

  • 12篇红外
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
锑化铟红外焦平面探测器发展现状被引量：10
2019年
近年来,红外探测器技术发展迅速,在国防、气象、红外遥感和航空航天等众多领域应用广泛。作为中波红外波段最重要的探测器之一,锑化铟(InSb)红外焦平面探测器具有量子效率极高、暗电流小、器件响应线性度高、稳定性好、灵敏度极高等特点,因此备受人们的关注和重视。InSb焦平面探测器性价比高,优势十分突出,其快速发展在很大程度上提高了红外整机性能,同时还覆盖了导弹精确制导、卫星预警探测、机载搜索侦察、红外成像及消防、医疗、电力检测、工业测温等军民两用领域。梳理了国外发达国家在InSb红外焦平面探测器方面的研究情况,分析了其发展方向并对发展前景及趋势进行了展望。
柏伟
关键词：INSB红外焦平面量子效率
基于高温热处理的InSb晶片性能研究被引量：1
2021年
近年来,为了满足新一代百万像元、高集成度、高性能红外焦平面探测器的发展需求,人们对高晶格质量、高表面状态InSb晶片的要求越来越高。为了提高用生长态晶体加工的InSb晶片的性能,对晶片高温热处理进行了研究。通过采用特殊设计的晶片承载装置并结合相应的晶片热处理配合方法,优化了晶体生长态遗传的固有缺陷以及由晶片加工过程引入的加工缺陷;改善了InSb晶片的化学计量比,释放了晶片内部的残余应力;提高了晶格质量,优化了晶片整片的平面度,最终提高了InSb晶片的整体质量,为制备高性能大规格红外焦平面探测器奠定了材料基础。
柏伟张立超徐强强赵超刘铭
关键词：应力平面度
基于X射线衍射形貌术的碲锌镉晶体样品制备方法研究
2024年
基于传统X射线衍射形貌术(X-Ray diffraction Topography,XRT)的碲锌镉晶体样品制备方法是通过对测试晶片进行磨抛加工,获得满足测试条件的表面。随着单晶晶片尺寸的增大,晶片磨抛加工的难度变大、耗时变长,而且还容易导致晶片损坏。针对上述问题,通过对切割研磨后的晶片腐蚀方法进行研究,获得了一种新的XRT样品制备方法。该方法能够快速去除晶片的表面损伤,获得满足XRT测试要求的晶片表面,大幅减小制样难度并缩短制样时间。使用该方法制备的样品X射线衍射形貌图像衬度均匀、信噪比较好,各类型晶体缺陷均可被检测出来。此技术能够很好地应用于大尺寸碲锌镉晶片的后续筛选和加工。
王琰璋刘江高李振兴柏伟李乾折伟林
关键词：碲锌镉晶体晶体缺陷
InSb晶片的显微拉曼研究
2023年
对热处理前后的InSb晶片进行了显微拉曼面扫描测试,开发了一种新的InSb晶片应力面分布表征方式。热处理前后InSb晶片的横向光学(Transverse Optical,TO)声子散射峰分别位于179.3 cm^(-1)和178.5 cm^(-1);纵向光学(Longitudinal Optical,LO)声子散射峰分别位于188.8 cm^(-1)和188.7 cm^(-1);特征峰的半峰宽分别为5.8 cm^(-1)和5.0 cm^(-1)。X射线双晶衍射曲线半峰宽值分别为12.10~20.04 arcsec和7.61~7.74 arcsec。用经热处理后的晶片制得的器件在80℃烘烤20天后,盲元增加量较小,整体数量较少。这表明热处理释放了晶片的残余应力,对后期抑制器件新增盲元存在有利影响,为新一代超高性能、超大面阵红外探测器的制备奠定了材料基础。
柏伟金研李乾董涛折伟林
关键词：锑化铟显微拉曼应力晶体质量
碲锌镉衬底的化学机械抛光液研究
2023年
作为碲锌镉衬底表面加工的重要工序,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)的加工效果决定了碲锌镉衬底的表面质量和生产效率。抛光液是CMP的关键影响因素之一,直接影响衬底抛光后的表面质量。对碲锌镉衬底CMP工艺使用的抛光液进行了研究,探究了以二氧化硅溶胶和过氧化氢为主体的抛光液体系在不同pH值、不同磨料浓度下对衬底抛光表面质量和去除速率的影响。结果表明,使用改进后的抛光液体系对碲锌镉衬底进行CMP,能够在获得超光滑表面的同时实现高效率加工,为批量化制备高表面质量的碲锌镉衬底奠定了良好基础。
王琰璋岳晓辉李振兴柏伟侯晓敏
关键词：碲锌镉化学机械抛光PH值
线切割InSb晶片表面损伤研究
2017年
利用扫描电子显微镜(Scannirng Electron Microscopy,SEM)、台阶仪和X射线衍射仪(X-ray Diffraction,XRD)研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度,定量分析了损伤层的厚度,并探讨了影响InSb切割晶片表面损伤的因素。结果表明,线切割InSb晶片的表面较平整,粗糙度小,表面损伤小,损伤层的厚度约为14μm,小于常规内圆切割晶片。研究结果对大尺寸、大批量InSb晶片的生产及后续加工具有一定的参考价值。
柏伟赵超
关键词：INSB线切割
CdSeTe分子束外延技术研究
2023年
对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。
何温王丛高达邢伟荣柏伟杨海燕折伟林
关键词：分子束外延
InSb晶片的机械加工损伤层研究被引量：4
2017年
结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探讨了损伤层结构及引入因素。研究结果表明,切割加工是引入InSb晶片表面损伤层的主要工序,其表面损伤层的深度达到16μm左右;双面研磨的InSb晶片表面的损伤层深度约为12μm;经机械化学抛光加工后的InSb晶片表面的损伤层深度明显减小,约为2μm。
柏伟赵超龚志红
关键词：INSB研磨抛光损伤层
4英寸高质量InSb晶体生长研究被引量：9
2018年
InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in InSb抛光晶片。测试表明,直径大于120 mm的晶体长度超过100 mm,晶体位错密度小于100 cm^(-2),其电学参数均匀,载流子浓度、载流子迁移率均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。这为新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展奠定了良好的材料基础。
柏伟庞新义赵超
关键词：锑化铟晶体生长直径位错电学参数
InSb衬底表面的氧化层研究被引量：3
2017年
能在高温下工作的InSb基InAlSb红外探测器是新一代红外探测器的发展方向。对衬底表面氧化层的研究是该研究方向的基础。利用椭偏仪(Spectroscopic Ellipsometry,SE)、X射线光电子能谱分析(X-ray photoelectron spectroscopy.,XPS)对用现工艺生长的InSb衬底表面氧化层进行了分析。从常用的腐蚀液中挑选了较优的腐蚀液,调节配比,试验加入无机酸后的效果,获得了较优的表面氧化层处理液。对处理后的表面氧化层的稳定性进行了对比,分析了其主要成分的变化,最终获得了满足Epi-ready InSb晶片表面氧化层参数的衬底,为后面高温工作探测组件的研究打好了基础。
赵超赵秀峰柏伟
关键词：INSB
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0