王小龙 作品数:3 被引量:9 H指数:2 供职机构: 华北光电技术研究所 更多>> 发文基金: 上海市自然科学基金 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
4 in InSb晶片加工技术研究 被引量:5 2019年 在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3~5μm波长范围的焦平面阵列探测器。对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,而该类探测器需要在更大尺寸、更高质量的晶片上制备。所以,对4 in InSb晶片加工技术进行了研究。通过优化研磨、抛光工艺参数,最终获得总厚度偏差小于等于10μm、翘曲度小于等于20μm、表面粗糙度小于1 nm、表面质量优的4 in InSb晶片,提高了加工效率,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。 赵超 徐鹏艳 孔忠弟 彭志强 王小龙 庞新义关键词:INSB 翘曲度 表面粗糙度 抛光 5英寸锑化铟晶片加工及表征 被引量:2 2022年 锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。 赵超 孔忠弟 董涛 吴卿 折伟林 王小龙 徐鹏艳 李乾 李达 李聪聪关键词:锑化铟 晶片 红外探测器 InSb材料的表征 被引量:4 2016年 InSb为直接带隙半导体材料,禁带宽度77 K时为0.232 eV,在3-5μm红外探测器上有着重要的应用。本文介绍了InSb晶体材料应用及制备的发展情况,对InSb材料的晶体结构、热学性质、机械性能、光学性质和电学性质的表征进行了叙述。根据InSb材料的基本特性,对其制备发展过程中将可能出现的问题和研究方向进行了预测。 计雨辰 王小龙关键词:INSB 半导体