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伍波

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇深反应离子刻...
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇MEMS

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇李键志
  • 1篇陈特超
  • 1篇禹庆荣
  • 1篇龚杰洪
  • 1篇张冬艳
  • 1篇伍波

传媒

  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备被引量：3
2006年
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
陈特超禹庆荣龚杰洪张冬艳伍波李键志
关键词：微电子机械系统刻蚀
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共1页<1>
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