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张冬艳

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇刻蚀
  • 1篇深反应离子刻...
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束刻蚀
  • 1篇均匀性
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇MEMS

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇陈特超
  • 2篇张冬艳
  • 1篇李键志
  • 1篇禹庆荣
  • 1篇龚杰洪
  • 1篇伍波

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种新型离子束刻蚀装置的研制
2010年
介绍了一种新型离子束刻蚀装置。该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统。工艺试验结果表明,该设备是一台先进的半导体工艺设备,性能稳定,刻蚀均匀性可达±4%。
张冬艳陈特超
关键词：离子束刻蚀均匀性
用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备被引量：3
2006年
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
陈特超禹庆荣龚杰洪张冬艳伍波李键志
关键词：微电子机械系统刻蚀
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共1页<1>
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