禹庆荣
- 作品数：10 被引量：29H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
- 发文基金：湖南省科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理自动化与计算机技术更多>>
- 反应离子刻蚀机的控制系统
- 本文主要阐述了反应离子蚀机的刻蚀机理,及真空系统中水汽等残余气体、工作压强、基片温度对刻蚀的影响,并着重讨论了基片温度的控制方法.
- 禹庆荣
- 关键词：RIE温度控制
- 文献传递
- 晶体硅太阳电池技术及进展研究论述
- 2017年
- 高效低成本是光伏行业发展不变的主题。进入21世纪,中国光伏发展突飞猛进,电池光电转换效率从14%提升到超过21%,成本降幅90%。本文结合近年来晶体硅太阳电池技术的特点,分析了高效晶体硅太阳电池技术和进展。
- 刘良玉张威禹庆荣
- 关键词：晶体硅太阳电池
- 基于CAN总线的光伏设备智能监控系统的研究与设计被引量：5
- 2013年
- 针对国内晶体硅太阳能电池生产厂设备自动化程度低、管理分散以及生产效率低下等问题,本文提出一种基于CAN总线的光伏设备智能监控系统,用于对大批光伏设备实行统一管理和实时监控,以实现整线光伏设备的统一管理和自动化运行,提高生产效率和降低生产成本。并分析介绍这一监控系统的特点、系统结构以及系统的设计和实现。
- 曹骞赵加宝禹庆荣
- 关键词：智能监控系统
- 用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备被引量：3
- 2006年
- 深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
- 陈特超禹庆荣龚杰洪张冬艳伍波李键志
- 关键词：微电子机械系统刻蚀
- 反应离子刻蚀中工艺参数的影响
- 本文主要阐述了反应离子刻蚀机的刻蚀机理，及工作压强、基片温度对刻蚀速率的影响，并根据实验结果分析了其产生的原因。
- 禹庆荣范迎新
- 关键词：集成电路芯片制造刻蚀工艺反应离子刻蚀
- 文献传递
- M5111-6/UM型五管软着陆扩散炉研制被引量：1
- 2016年
- M5111-6/UM型五管软着陆扩散炉用于晶体硅太阳能电池片扩散工艺,具有全自动化、高产能、减压扩散等特点,介绍该型号设备结构组成及性能,并给出了工艺结果,结果表明该设备各方面性能均已达到国内领先水平。
- 谢于柳禹庆荣许烁烁朱奕漪
- 关键词：太阳能电池
- 离子束溅射制备的氧化钽层的绝缘特性被引量：2
- 2002年
- 介绍了一种具有高附着力和优良绝缘性能的Ta2 O5 介质膜 ,它由离子束溅射镀膜工艺制备而成。检测了在不同氧气流量下制备的氧化钽薄膜的绝缘性。结果表明 :在其余条件相同的情况下 ,氧气流量越大所制备的薄膜绝缘程度越高。但当氧气流量达到一定的程度时 ,其绝缘程度不再有所变化。
- 禹庆荣陈特超
- 关键词：离子束溅射绝缘特性半导体
- 光伏行业扩散炉的技术现状及发展趋势被引量：6
- 2007年
- 从降低生产成本和提高电池转换效率方面出发,介绍了太阳电池扩散设备的最新进展,并对各种新型设备作出了评价和展望。
- 向小龙禹庆荣文庚云王俊朝仲从元杨健
- 关键词：太阳电池
- 多晶硅太阳电池PECVD氮化硅钝化工艺的研究被引量：12
- 2008年
- 介绍等离子体化学气相淀积(PECVD)制备减反射钝化膜。将PECVD设备运用于太阳电池生产线上,发现通过PECVD设备可以对多晶硅太阳电池有很好的钝化效果。分析PECVD对多晶硅太阳电池钝化机理。
- 李军阳陈特超禹庆荣
- 关键词：PECVD钝化氮化硅太阳电池多晶硅
- 浅谈“三大规范”对企业整体技术水平的作用
- 2016年
- 本文介绍了"三大规范"的涵义和作用以及影响企业技术水平的主要因素,并探讨"三大规范"工作对企业的重要影响,充分阐述了"三大规范"工作对企业技术创新发展以及整体技术水平的重要作用和意义。
- 宋秀云禹庆荣
