陈特超
- 作品数：20 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理冶金工程更多>>
- 影响离子束溅射淀积薄膜的工艺参数分析
- 本文通过对离子束溅射淀积薄膜的工艺参数的分析,和实验所得出的经验,对指导离子束蚀刻镀膜操作人员在该类设备上制作出优良的薄膜具有一定的参考实用价值.
- 华德清陈特超
- 关键词：离子束蚀刻溅射淀积工艺参数
- 文献传递
- 太阳能电池用高温烧结炉传动系统的设计计算
- 2008年
- 介绍了太阳能电池生产线用高温烧结的特点、传动原理,提出了网带驱动力及其传递功率的理论计算方法,利用该方法进行设计计算,可在保证传动可靠的前提下,选择最合适的电机、减速机,减少安装位置,节约设备制造成本。作者根据计算结果应用到实际的生产中,较好的指导了生产。
- 陈特超
- 关键词：太阳能电池带传动
- 多晶硅铸锭用坩埚烧结炉的设计
- 2009年
- 多晶硅铸锭时是将硅材料放在一个耐高温容器即坩埚中将硅料熔化、冷却、长晶的过程。装硅料的容器必须耐高温,不挥发,一般采用氧化硅陶瓷制造。为了保证硅锭的纯度,在硅料放入前需在坩埚内表面喷涂一层隔离材料,然后将此材料与坩埚在高温下形成一体。坩埚烧结炉就是将此喷涂物与坩埚烧结起来,形成牢固的隔离层。本文介绍了设计方法,提供了详细设计计算过程,介绍了设备的特点,并结合实际使用情况给出了测试数据。
- 陈特超李军阳刘松罗亮
- 关键词：多晶硅铸锭坩埚喷涂烧结炉
- 一种新型离子束刻蚀装置的研制
- 2010年
- 介绍了一种新型离子束刻蚀装置。该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统。工艺试验结果表明,该设备是一台先进的半导体工艺设备,性能稳定,刻蚀均匀性可达±4%。
- 张冬艳陈特超
- 关键词：离子束刻蚀均匀性
- GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
- 2015年
- 分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。
- 刘欣魏唯陈特超
- 关键词：半导体设备
- 晶体硅太阳能电池生产线外围设施建设经验漫谈
- 2012年
- 中国电子科技集团公司第四十八研究所是国内最早从事晶体硅太阳能电池整线交钥匙工程的单位,在国内已完成了几十家太阳能整线的建设。整线建设包括生产线设备的配置、安装,外围设施建设(厂房设计,净化间施工,水、电、气的设计施工),工艺调试,投产。其中外围设施建设的重要性往往被人们忽视。作者通过承担几条生产线的整线设计,参与了外围设施设计并在现场跟踪施工全过程,直至整线交付。在外围设施建设过程中发现了一些可修改的设计问题,在此提出来与大家分享。
- 陈特超谢建国李克毛朝斌
- 关键词：晶体硅太阳能电池
- LD-4型多离子束共溅射镀膜机
- 安志超华德清陈特超席光荣肖友文
- 该机是根据带能量的离子束轰击固体表面的溅射原理研制的半导体工艺设备。只需在真空室外转换靶位，实现一机两种镀膜技术。一是多个离子束同时轰击各自对应的靶，溅出的各个靶材原子同时淀积在一个衬底上的共溅射镀膜技术。二是各个靶材溅...
- 关键词：
- 关键词：镀膜机
- 高阻晶体硅电池扩散炉温度控制的研究被引量：1
- 2012年
- 介绍了一种用于太阳能电池高阻扩散工艺的扩散炉温度控制系统,该系统结构简单,控制效果良好,能满足60Ω以上高阻的生产要求。
- 毛朝斌陈特超李克林伯奇
- 关键词：串级控制扩散炉PID
- 射频离子束辅助溅射镀膜设备的研制被引量：1
- 2013年
- 介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子束辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射频中和器,解决了采用热灯丝离子源的同类设备中灯丝易被氧化的关键问题,适合于氧化物薄膜制备。
- 陈特超龙长林胡凡刘欣王慧勇
- 关键词：离子束溅射
- 用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备被引量：3
- 2006年
- 深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
- 陈特超禹庆荣龚杰洪张冬艳伍波李键志
- 关键词：微电子机械系统刻蚀
