龚杰洪
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术兵器科学与技术化学工程更多>>
- Ni-Zn铁氧体烧结窑的研制被引量：1
- 2003年
- 概述了Ni-Zn铁氧体烧结窑的结构,分析了升温区、恒温区和降温区的设计特点及其与产品烧结质量的关系,介绍了合理选择耐火保温材料和电热元件的原理和方法。
- 龚杰洪杨剑周天寿
- 关键词：NI-ZN铁氧体
- 基于红外技术的气液两相流空隙率测量技术研究被引量：4
- 2013年
- 气液两相流流型识别是气液两相流参数检测中需解决的关键技术之一。采用自主设计的气液两相流信号源发生装置,产生泡状流、弹状流及环状流等流型,满足气液两相流的标定需要。基于红外检测技术实现对气液两相流各种流型条件下截面空隙率的测量,并对采集数据处理求解实现流型识别。试验结果表明:红外检测技术能够实现气液两相流各种流型的识别,并测量出对应的空隙率,满足工程应用需要。
- 何峰颜志红谢贵久张建国龚杰洪徐波王跃社
- 关键词：气液两相流红外检测流型识别空隙率
- 低能量发火Ni-Cr薄膜桥制备及性能分析被引量：1
- 2011年
- 介绍一种低能量Ni-Cr薄膜桥发火件的设计结构参数和工艺,薄膜桥设计尺寸为90μm×10μm×5μm,电阻值为(4.3±0.4)Ω,典型发火能量为4.1V/84μJ。在同批768个产品中抽样480个进行发火试验,结果表明:98%的样品可在4.5V/100μJ能量下引燃,100%的样品可在4.8V1 15μJ能量下引燃。
- 颜志红谢贵久景涛龚杰洪王科伟章良
- 关键词：低能量发火NI-CR合金
- 用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备被引量：3
- 2006年
- 深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
- 陈特超禹庆荣龚杰洪张冬艳伍波李键志
- 关键词：微电子机械系统刻蚀
- SiC外延炉加热系统的设计被引量：4
- 2017年
- 碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度。
- 陈特超林伯奇龙长林肖慧胡凡程文静丁杰钦杨一鸣龚杰洪
- 关键词：碳化硅加热器线圈温度曲线
- 离子注入装备发展趋势被引量：5
- 2006年
- 简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。
- 龚杰洪张彬庭伍三忠
- 关键词：离子注入
- 基于网络的氮窑电气控制系统
- 2002年
- 介绍了一种基于网络的氮窑电气控制系统 ,该系统以可编程控制器 (PLC)为核心 ,通过 3条现场网络实现氮窑电气系统的分布式控制。即以CompoBus/S网络组成氮窑循环送料控制回路 ;以CompoBus/D网络组成氮窑温度检测回路 ;以RS - 485网络联结温度控制仪 ,实现PLC和温控仪的通信。此外 ,该系统面板指示灯回路的设计具有独特构思。这种以网络为基础的窑炉控制系统和传统的离散控制方式相比 ,在可靠性、通用性。
- 唐超凡龚杰洪胡晓宇
- 关键词：网络电气控制系统分布式控制
