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李键志
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
伍波
中国电子科技集团公司第四十八研...
张冬艳
中国电子科技集团公司第四十八研...
龚杰洪
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禹庆荣
中国电子科技集团公司第四十八研...
陈特超
中国电子科技集团公司第四十八研...
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伍波
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2006
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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备
被引量:3
2006年
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
陈特超
禹庆荣
龚杰洪
张冬艳
伍波
李键志
关键词:
微电子机械系统
刻蚀
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