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刘方

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇CCD
  • 1篇电路
  • 1篇电路制造
  • 1篇特征尺寸
  • 1篇斜坡
  • 1篇芯片
  • 1篇离子注入
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路制造
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶
  • 1篇CCD芯片

机构

  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇刘方
  • 1篇李仁豪
  • 1篇汪凌
  • 1篇唐利
  • 1篇袁安波
  • 1篇张故万
  • 1篇李贝

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇集成电路应用

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2008
  • 1篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响被引量：1
2008年
分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响。该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考。
刘方汪凌袁安波唐利李贝
关键词：离子注入特征尺寸
双2×46 CCD红外信号处理器
2001年
双 2× 4 6CCD红外信号处理器主要用于 8× 2元HgCdTe红外探测器的信号预处理 ,理论上它能使系统的信噪比提高 2 1/ 2 倍。详细介绍了双 2× 4 6CCD红外信号处理器的理论设计及制作 ,给出了工艺流程及器件的测试结果。
刘方李仁豪
关键词：CCD
CCD芯片金属层脱落失效分析与改进措施
2021年
在CCD芯片制作中,出现金属层脱落的现象,通过分析金属层脱落的原因,开展工艺验证实验,采取相应改进措施,成功解决了金属层脱落的问题,使得金属层制备的工艺集成能力和芯片成品率得到了显著提升。
刘方孙晨张故万
关键词：集成电路制造CCD
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共1页<1>
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