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文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇液相外延
  • 2篇碲镉汞
  • 1篇液相外延技术
  • 1篇探测器
  • 1篇碲镉汞薄膜
  • 1篇碲镉汞材料
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇温区
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇EPD
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇华北光电技术...

作者

  • 2篇刘兴新
  • 2篇周立庆
  • 2篇王迎
  • 2篇董瑞清
  • 1篇王金义
  • 1篇胡增辉
  • 1篇桂春辉

传媒

  • 1篇2002年全...
  • 1篇2003年全...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
单温区碲镉汞液相外延技术的研究
采用单温区碲化汞补偿相外延法,通过液相延舟的设计、温度参数和氢气流量的选择,在碲锌镉衬义上成功外延出碲匐汞液相外延膜.液相外延膜的组份均匀性、表面形貌、X光形貌和电性能参数均较好.
周立庆刘兴新王金义董瑞清王迎胡增辉
关键词:碲镉汞薄膜液相外延红外探测器
文献传递
用于碲镉汞液相外延的碲锌镉衬底位错密度的研究
平均位错密度(EPD)是评价晶体质量的重要指标之一,衬底的位错密度直接影响到外延膜的位错密度,进而影响到器件的性能.
董瑞清周立庆刘兴新王迎桂春辉
关键词:液相外延衬底碲镉汞材料
文献传递
共1页<1>
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