刘兴新
- 作品数：17 被引量：58H指数：4
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究
- 2007年
- 文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。采用碲锌镉缓冲结构生长了碲镉汞液相外延片,其碲锌镉与碲镉汞薄膜界面附近的杂质得到了有效的控制。
- 周立庆刘兴新巩锋胡尚正
- 关键词：液相外延
- 碲镉汞雪崩光电二极管在激光雷达上的应用被引量：3
- 2012年
- 首先简要介绍激光雷达的主要军事应用、激光雷达对接收器的性能需求及激光雷达接收器的现状,综述碲镉汞材料特点、碲镉汞雪崩光电二极管探测器特点,与现有激光雷达接收器相比碲镉汞雪崩光电二极管作为激光雷达接收器的优势及制备技术;综述国外碲镉汞雪崩光电二极管用于激光雷达接收器的发展现状;最后分析我国发展用于激光雷达接收器的碲镉汞雪崩光电二极管可行性。
- 刘兴新
- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管激光雷达
- 优质碲锌镉单晶的生长及性能测试被引量：7
- 2004年
- 采用垂直布里奇曼法(VB)生长出直径为55mm、低位错密度、结构完好的碲锌隔单晶(Cd0.955Zn0.045Te)。通过位错腐蚀坑密度、傅立叶红外透射光谱、X Ray形貌、X射线双晶摇摆曲线对碲锌镉晶体的性能进行了研究。
- 巩锋周立庆刘兴新董瑞清
- 关键词：直径形貌单晶摇摆曲线晶体
- Si基复合衬底碲镉汞液相外延技术的研究
- 本文阐述了采用Si基复合衬底,利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况,并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱仪等手段对碲镉汞薄膜进行了表征。Si基复合衬底碲镉汞外延膜晶体结构为单晶,并且它的双晶衍射半峰...
- 周立庆刘兴新巩锋史文均
- 关键词：碲镉汞薄膜液相外延双晶衍射
- 文献传递
- 碲锌镉缓冲层液相外延技术的研究
- 本研究采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好...
- 周立庆刘兴新巩锋胡尚正
- 关键词：红外材料薄膜生长液相外延晶体结构
- 文献传递
- 提高空间红外点目标探测系统探测能力的方法
- 2023年
- 点目标探测系统是探测与测量系统,要保证弱目标高信噪比并且可同时探测不同强度的目标,实现大动态范围高灵敏度探测。传统成像系统通过切换探测器积分电容和改变积分时间无法同时兼顾信噪比与动态范围。针对采用模拟TDI红外探测器的扫描型红外点目标探测系统,本文综合考虑弱目标与背景杂波的辐射强度,提出红外探测器采用TDI累加不平均输出方案,提高相机信噪比,以及图像信噪比,从而提高弱目标探测能力。同时提出TDI累加输出与单像元输出自动选择方案解决累加不平均方案带来的系统动态范围变小问题。结合观测图像需求,给出了探测系统输出响应归一化的方法,最后通过实验测试,验证了系统设计方法的正确性。
- 杨小乐史漫丽周峰刘兴新行麦玲
- 关键词：点目标动态范围
- 单温区碲镉汞液相外延技术的研究
- 采用单温区碲化汞补偿相外延法,通过液相延舟的设计、温度参数和氢气流量的选择,在碲锌镉衬义上成功外延出碲匐汞液相外延膜.液相外延膜的组份均匀性、表面形貌、X光形貌和电性能参数均较好.
- 周立庆刘兴新王金义董瑞清王迎胡增辉
- 关键词：碲镉汞薄膜液相外延红外探测器
- 文献传递
- 碲镉汞雪崩光电二极管发展现状被引量：8
- 2009年
- 碲镉汞雪崩光电二极管探测器具有高增益、高带宽和低噪声因数的显著特点,具有下一代焦平面探测器阵列的多功能、主动/被动探测、双波段和高灵敏度等理想特性,在低光通量探测、超光谱、二维/三维成像方面显示出强大的应用潜力。本文简要介绍了碲镉汞雪崩光电二极管主要器件结构、特点及应用现状。
- 刘兴新
- 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管激光雷达光子计数
- 红外焦平面探测器成像中的重影现象被引量：1
- 2018年
- 在一款256×256中波红外探测器成像中,发现了成像重影,这种重影严重影响图像质量。特别是探测微弱目标时,对目标的识别和捕获会产生严重的干扰。本文介绍了专用红外焦平面点源实验平台,对成像重影的数据特性进行了分析,并通过机理分析和实验比较定位了引起成像重影的原因。成像重影是由于测试电路阻抗不匹配及带宽不够造成的,通过改进测试电路消除了这种重影。
- 李娟冯帅马静刘兴新
- 关键词：红外焦平面阵列测试电路
- 用于碲镉汞液相外延的碲锌镉衬底位错密度的研究
- 平均位错密度(EPD)是评价晶体质量的重要指标之一,衬底的位错密度直接影响到外延膜的位错密度,进而影响到器件的性能.
- 董瑞清周立庆刘兴新王迎桂春辉
- 关键词：液相外延衬底碲镉汞材料
- 文献传递
