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董瑞清
作品数:
4
被引量:27
H指数:2
供职机构:
华北光电技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
周立庆
华北光电技术研究所
刘兴新
华北光电技术研究所
巩锋
华北光电技术研究所
王迎
华北光电技术研究所
折伟林
华北光电技术研究所
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华北光电技术...
作者
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周立庆
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董瑞清
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刘兴新
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2003年全...
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2004
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2003
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单温区碲镉汞液相外延技术的研究
采用单温区碲化汞补偿相外延法,通过液相延舟的设计、温度参数和氢气流量的选择,在碲锌镉衬义上成功外延出碲匐汞液相外延膜.液相外延膜的组份均匀性、表面形貌、X光形貌和电性能参数均较好.
周立庆
刘兴新
王金义
董瑞清
王迎
胡增辉
关键词:
碲镉汞薄膜
液相外延
红外探测器
文献传递
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
被引量:7
2004年
采用垂直布里奇曼法(VB)生长出直径为55mm、低位错密度、结构完好的碲锌隔单晶(Cd0.955Zn0.045Te)。通过位错腐蚀坑密度、傅立叶红外透射光谱、X Ray形貌、X射线双晶摇摆曲线对碲锌镉晶体的性能进行了研究。
巩锋
周立庆
刘兴新
董瑞清
关键词:
直径
形貌
单晶
摇摆曲线
晶体
3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究
被引量:20
2011年
报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性。
周立庆
刘铭
巩锋
董瑞清
折伟林
常米
关键词:
碲化镉
硅基
分子束外延
用于碲镉汞液相外延的碲锌镉衬底位错密度的研究
平均位错密度(EPD)是评价晶体质量的重要指标之一,衬底的位错密度直接影响到外延膜的位错密度,进而影响到器件的性能.
董瑞清
周立庆
刘兴新
王迎
桂春辉
关键词:
液相外延
衬底
碲镉汞材料
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