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马磊

作品数：3 被引量：0H指数：0
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地区

  • 6个北京市
共 6 条 记 录，以下是 1-6
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 键合 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李跃
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：短沟道效应 迁移率 沟道 界面态密度 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：激光跟踪仪 激光跟踪 沟道 目标跟踪 存储介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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